山东
摘要：
晶圆化学机械研磨（CMP）后的清洗是保障后续工艺精度的关键环节。邦普化学的FAS-1表面活性剂展现出卓越的颗粒去除能力，其清洗性能明显优于其他同类表面活性剂，为晶圆CMP后清洗提供可靠的清洗原料。
关键词：
晶圆硅片清洗、化学机械研磨（CMP）清洗、FAS-1表面活性剂、除硅粉颗粒
在晶圆制造工艺里，化学机械研磨（CMP）是极为关键的平坦化步骤。然而，研磨完成后，晶圆表面常常会残留大量的硅粉颗粒以及有机污垢。这些残留物会严重影响后续的薄膜沉积、光刻以及刻蚀等工艺，所以，高效的清洗剂对于提升晶圆制造质量而言至关重要。
邦普化学FAS-1阴离子表面活性剂展现出卓越的颗粒去除能力，特别是对硅粉颗粒的清洗效果极为显著。它能够有效降低颗粒与晶圆表面之间的黏附力，使硅粉等微粒迅速从基底脱离。
在实验测试中，于相同条件下，测试FAS-1等表面活性剂对硅粉颗粒污垢的清洗效果。结果显示，FAS-1在去除硅粉颗粒方面表现出显著性能优势，清洗能力明显优于其他表面活性剂。
邦普化学FAS-1表面活性剂凭借其出色的颗粒去除能力及性价比，为晶圆CMP后清洗提供了高效可靠的清洗原料，有助于提升晶圆清洗的良品率和产品性能。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
