摘要:
晶圆化学机械研磨(CMP)后的清洗是保障后续工艺精度的关键环节。邦普化学的FAS-1表面活性剂展现出卓越的颗粒去除能力,其清洗性能明显优于其他同类表面活性剂,为晶圆CMP后清洗提供可靠的清洗原料。
关键词:
晶圆硅片清洗、化学机械研磨(CMP)清洗、FAS-1表面活性剂、除硅粉颗粒
在晶圆制造工艺里,化学机械研磨(CMP)是极为关键的平坦化步骤。然而,研磨完成后,晶圆表面常常会残留大量的硅粉颗粒以及有机污垢。这些残留物会严重影响后续的薄膜沉积、光刻以及刻蚀等工艺,所以,高效的清洗剂对于提升晶圆制造质量而言至关重要。
邦普化学FAS-1阴离子表面活性剂展现出卓越的颗粒去除能力,特别是对硅粉颗粒的清洗效果极为显著。它能够有效降低颗粒与晶圆表面之间的黏附力,使硅粉等微粒迅速从基底脱离。
在实验测试中,于相同条件下,测试FAS-1等表面活性剂对硅粉颗粒污垢的清洗效果。结果显示,FAS-1在去除硅粉颗粒方面表现出显著性能优势,清洗能力明显优于其他表面活性剂。
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邦普化学FAS-1表面活性剂凭借其出色的颗粒去除能力及性价比,为晶圆CMP后清洗提供了高效可靠的清洗原料,有助于提升晶圆清洗的良品率和产品性能。
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