罗姆推出两款采用DFN5060封装的150V低压GaN

前言

近期，充电头网了解到罗姆目前推出GNE1008TB与GNE1040TB两款150V低压氮化镓功率器件，面向服务器电源、PD快充次级同步整流以及人形/四足机器人关节电机驱动等前沿应用，为电源系统工程师带来更丰富的设计选择。

罗姆推出的低压GaN器件相比传统硅MOSFET，具备更低导阻、更快的开关速度以及更优的高频特性，能够在更高效率与更小体积之间取得平衡，特别适用于追求高效、高功率密度的场景。此外，上述两款器件还采用DF5060封装，可直接PIN TO PIN替换同封装硅MOS，降低设计成本，具备更优的适配性。

罗姆低压GaN

充电头网了解到，罗姆推出多款150V低压氮化镓，导阻分别为8.5mΩ和40mΩ，并均为DFN5060封装。

罗姆GNE1008TB

罗姆GNE1008TB是一款栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT，属于EcoGaN系列产品，利用该系列产品的低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；即使在1MHz的高频段，电源效率也可达到96.5%以上。另外，通过采用DFN5060封装，实现出色的散热性能，并易于流水线自动化生产。

罗姆GNE1008TB这款低压氮化镓器件非常适合半桥拓扑、次级同步整流、D类音频放大器、红外LED以及激光二极管驱动等场景应用。

罗姆GNE1040TB

罗姆GNE1040TB是栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT，导阻仅为40mΩ，并无反向恢复电荷。该产品属于EcoGaN系列，该系列产品通过更大程度地激发低导通电阻和高速开关性能，助力应用产品更节能和小型化。GNE1040TB的电源效率在1MHz的高频段也高达96.5%以上。另外，该产品采用支持大电流且具有出色散热性的DFN5060封装，便于流水线成产。

罗姆GNE1040TB这款低压氮化镓器件同样非常适合半桥拓扑、次级同步整流、D类音频放大器、红外LED以及激光二极管驱动等场景应用。

充电头网总结

随着高频、高效率和小型化电源设计的需求不断提升，低压GaN器件正在逐步取代传统硅MOSFET，成为高性能电源系统的重要选择。罗姆推出的GNE1008TB与GNE1040TB两款150V低压GaN HEMT，凭借低导通电阻、高速开关特性，为工程师在半桥拓扑、次级同步整流、电机驱动、D类音频放大器、红外LED及激光二极管驱动等应用场景提供了可靠的解决方案，为高效电源设计带来了更多可能性。