双档EXPO旗舰发烧内存 佰维DW100 OC LAB联名款DDR5测评

AMD锐龙9000系列对高频内存的支持进一步加强，各家主板厂商推出的新一代主板也能更好的支持8000MT/s以上的内存，支持8000MT/s EXPO的内存就再次成为了玩家们选购的焦点。这次我们就一起来看一下佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存的表现。

旗舰发烧DDR5套装，10层PCB特挑ADie颗粒

佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存（OC Lab Gold Edition DW100 RGB DDR5）采用了黑金配色，和普通的DW100系列有明显的区别。它整体为黑色哑光散热装甲，以金色纹理和文字加以点缀，神秘中充满了高端感。

内存顶部则是光污染玩家喜爱的灯带，其拥有8个区域的1680万色可编程RGB灯光，具有超过10组灯效模式，能够支持华硕、技嘉、微星、华擎等主流主板厂商的灯光同步。玩家们可以充分自定义设置，打造统一的动态视觉效果。

佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存拥有10层PCB，带来更好的抗干扰性能，提供更加稳定的电气性能，为超频打下良好基础。它采用不锁电压PMIC设计，可根据玩家需求动态调节电压，带来更好的超频体验。散热装甲则采用了创新的三翅片散热设计，保证内存在高频下依旧能控制在一个合理的温度，进一步提高高频使用时的稳定性。

该内存采用了特挑的海力士A-Die颗粒，具备优秀的超频性能。它是全球首款量产上市的双档EXPO配置内存，也就是说其具备了两组EXPO认证配置，分别对应8000MT/s和6400MT/s两个档位。这条联名内存有DDR5-8000 CL34和DDR5-8000 CL36两种不同的规格供玩家选择，两者的高频EXPO配置略有不同，低频EXPO配置则保持一直，具体如下：

DDR5-8000 CL34：

8000MT/s EXPO时序CL34-46-46-108

6400MT/s EXPO时序CL28-38-38-76

DDR5-8000 CL36：

8000MT/s EXPO时序CL36-46-46-108

6400MT/s EXPO时序CL28-38-38-76

本次体验测试的是是其中高频8000MT/s CL36的版本。这样的双档EXPO让玩家使用起来更加灵活。对于AMD平台的游戏玩家来说，6400MT/s是一个甜点频率，这个内存频率下大多数玩家的AMD CPU都能使用UCLK=MCLK的同步模式，而CL28则又能很好的降低延迟，带来比较优秀的游戏性能。同时，如果玩家的的CPU体质不那么好或者主板内存支持不那么完善，无法跑到8000MT/s这种高频率下时，也能有一个不错的内存性能体验。

8000MT/s则能在一定程度上提升带宽，在部分需要高内存带宽的生产力应用中带来一些性能上的加成，不过由于在高频下只能使用UCLK=MCLK/2的异步模式，所以延迟方面通常比较吃亏。但是因为佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存在8000MT/s下的EXPO设置将CL值也降到了34/36，所以总体来看并不会比6400MT/s的设置下游戏性能差太多，而高频率对于部分需求高频率的游戏来说，也能提升一定的游戏性能。

容量方面，该内存为DDR5套条，单条16GB，套装为双条，组成16GB×2的32GB组合，足够满足游戏玩家日常使用的需要。

双档EXPO配置，低延迟高带宽全都有

我们对该内存进行了实测。因为AMD CPU I/O Die的关系，单CCD和双CCD的CPU内存性能并不一致，单CCD的CPU在读写性能上会明显落后于双CCD的CPU，所以我们分开进行了测试。另外，因为CPU体质和主板内存超频能力等原因，会对内存读写性能、延迟和超频能力有一定的影响，所以以下结果仅供参考，特别是超频测试。

测试平台：

内存：佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存

DDR5 8000MT/s CL36 16GB×2

CPU：AMD 锐龙5 9600X

AMD锐龙9 9900X

AMD 锐龙9 9950X

主板：ROG CROSSHAIR X870E HERO

我们使用AIDA64对该内存进行了读写性能的测试。首先来看看CPU为单CCD的锐龙5 9600X的表现。可以看到在默认的5600MT/s CL46下，无论是读写还是延迟的表现都比较一般。加载6400MT/s CL28的EXPO设置后，可以看到无论是读写性能还是延迟表现都有了大幅的提升，其中延迟直接降低了25%，这对延迟敏感的游戏来说提升会非常明显，所以大家拿到内存以后一定要在BIOS开启EXPO设置，不然就是花了钱却没有享受到应有的性能。不过因为主板默认小参调教等原因，加载8000MT/s的EXPO设置后相比6400MT/s EXPO设置时没有提升，还略微降低了一点。

我们也尝试了超频，在简单的设置并对小参进行调整后，内存频率可以进一步提升到8200MT/s，延迟则还能进一步降低到CL34。此时的内存读写性能有了比较明显的提升，但受限于CPU是单CCD，依旧没能跑满。延迟为66.7ns，相比6400MT/s同步模式下进一步降低。

再来看看该内存在双CCD的CPU锐龙9 9900X的下的表现（选择锐龙9 9900X是因为我们手里的这颗比锐龙9 9950X的IMC体质要好，内存超频更容易一些）。可以看到在6400MT/s的EXPO设置下，相比5600MT/s的默认设置在读写性能和延迟方面就已经有了大幅的进步，读取提升了39%，写入提升了34%，复制提升了32%，延迟降低了29%，双CCD的CPU确实能带来更好的内存性能释放。加载8000MT/s的EXPO设置后相比6400MT/s EXPO设置时表现基本一致，特别是大家关心的异步状态下的延迟表现，因为有着CL36的时序，所以和6400MT/s下几乎没有差别。

我们同样对其进行了超频和调整小参。经过简单的尝试，在提升频率的同时降低时序，该内存可以跑到8200MT/s CL34，而如果时序保持CL36不变，则可以将频率提升到8400MT/s。从测试来看，这对内存应该是可以跑到8400MT/s CL34的，但是需要更多更细致的超频调整。

超频后的读写性能得到了进一步提升。可以看到在8200MT/s时，读取和写入性能都已经超过了100000MB/s，提升非常明显。而此时的延迟则进一步降低，已经低于6400MT/s CL28了。而频率提升到8400MT/s时，相比8200MT/s在读写性能上还能再提升一点，不过不是太多，虽然此时的时序涨到了CL36，但因为频率也提升了200MT/s，所以综合下来延迟相较于8200MT/s时还低了一点。

最后我们使用锐龙9 9950X在7Zip中进行了Benchmark测试，由此来看看高频率高带宽在实际软件环境中的表现。

从测试可以看到，随着内存频率的提升，7Zip的跑分也随之提升，特别是对压缩性能的提升相对较大一些。

总结：表现优秀，兼顾高频与低延迟的双重需求

作为业界首款同时搭载8000MT/s CL36与6400 MT/s CL28双EXPO配置的旗舰发烧级内存，佰维DW100 OC LAB联名款双档EXPO内存很好的平衡了AMD平台内存的选择困境，玩家无需在低延迟和高频率高带宽中作出妥协，可以很好的实现两者兼顾。而双档EXPO设置，也能更好的适配不同玩家的平台，两档EXPO配置对于不想动手想省心的玩家来说，可以方便的选择自己想要的甜点频率，一键开启高性能表现。而10层PCB加特挑ADie颗粒，也让有动手能力的玩家能够更轻松的挑战超频极限。总的来说，该内存是发烧玩家值得关注的选择。