上海
本文转自：IT之家
作者： 问舟
三星电子 2018 年曾推出对标英特尔 3D XPoint 傲腾的高端 NAND Flash 产品“Z-NAND”，但因市场性不足未推出后续产品。
随着 AI 浪潮的到来，三星在本周举行的 FMS 2025 内存与存储大会上宣布将重新开发 Z-NAND 产品，并设定了最高 15 倍（相比现有 NAND 闪存）的性能目标。
三星半导体存储业务执行副总裁表示，与传统 NAND 闪存相比，新一代 Z-NAND 的目标是性能提升最高 15 倍，同时功耗降低最多 80%。该技术将针对 AI 应用，尤其是 AI GPU 进行优化，重点在于进一步降低延迟。
为此，三星引入了一种可让 GPU 直接访问 Z-NAND 数据的新技术，其原理与微软的 DirectStorage API 类似，命名为 GPU-Initiated Direct Storage Access（GIDS）。
作为对标英特尔 Optane 的产品，三星 Z-NAND 同样采用了介于传统 DRAM 与 SSD 之间的新型固态存储层，具有更低的系统延迟和更高性能。
不同于基于全新架构的 3D XPoint，三星当时推出的 Z-NAND 本质上只是经过加速优化的 SLC NAND SSD，采用改良的 48 层 V-NAND 并以 SLC 模式运行。其一大改进是将页大小缩小至 2–4 KB，从而能以更小的数据块进行读写，降低延迟（而普通 SSD 通常采用 8–16 KB 页大小）。
在当时，英特尔 Optane 和三星 Z-NAND 产品比传统 SSD 快约 6–10 倍。如果三星的新一代技术实现既定目标，其性能将达到当前 NVMe SSD 的 15 倍，IT之家后续将保持关注，敬请期待。
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