北京
金融界2025年7月29日消息，国家知识产权局信息显示，锐立平芯微电子（广州）有限责任公司申请一项名为“一种制造侧墙的方法和半导体器件”的专利，公开号CN120390446A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开提供了一种制造侧墙的方法和半导体器件，可以应用于半导体技术领域。该制造侧墙的方法包括：在衬底上形成栅极；在栅极的侧壁上形成牺牲侧墙；在侧壁上形成有牺牲侧墙的栅极的相对两侧，形成源/漏区，源/漏区的顶面低于栅极的顶面，其中，牺牲侧墙介于栅极与源/漏区之间；选择性去除牺牲侧墙，以释放栅极与源/漏区之间的空间；以及在衬底上沉积电介质材料，电介质材料部分地填充空间，且在空间中留有气隙，气隙的顶部低于源/漏区的顶面。
天眼查资料显示，锐立平芯微电子（广州）有限责任公司，成立于2022年，位于广州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238888.888889万人民币。通过天眼查大数据分析，锐立平芯微电子（广州）有限责任公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息437条，此外企业还拥有行政许可11个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
