快充、工业、车规全覆盖，功率半导体行业11款新品解读

前言

在全球功率半导体行业，技术创新与市场需求正呈现出前所未有的活跃态势。功率器件原厂加速产能扩张，关键工艺不断突破，新品层出不穷，推动整个行业持续升级。正因如此，功率半导体赛道正绽放出前所未有的蓬勃活力。为了帮助读者朋友快速掌握行业动态，我们整理了近期数十款具有代表性的新品案例，从硅MOS到功率模块，力求让大家在一篇文章中尽览功率半导体的最新发展与趋势。

CRMICRO华润微

华润微推出MSOP9系列车规半桥模块

华润微全新MSOP9系列车规级半桥功率模块是在MSOP8封装平台基础上的全新升级成果，其综合性能已达到国际先进水平。该系列创新性地将NTC热敏电阻集成于模块内部，显著提升了集成度与系统可靠性。相较上一代产品，MSOP9具备更优的参数一致性、更小的封装尺寸和更高的功率密度，模块及系统的杂散电感更低，顶部散热能力也远超传统贴片产品。同时，其可靠的电气隔离设计满足AEC-Q101与AQG324汽车电子功率模块认证要求，为汽车电子系统提供高效、稳定的解决方案，并在推动汽车芯片国产化进程中发挥了积极作用。

MSOP9系列在应用层面具备显著优势。模块内置精准的温度传感器，可直接监测芯片核心温度，实现主动过温防护，有效提升系统寿命与功率输出能力。传感器引脚与同电位的功率/控制引脚相邻设计，使布局更加紧凑，既简化了PCB布线并满足爬电距离要求，又提升了信号抗干扰能力。其贴片式封装便于灵活装配，能够在OBC、DC-DC等桥式拓扑平台中实现更低的系统杂感和更高的热效率，从而优化冷却系统设计，降低PCB尺寸与BOM复杂度，全面助力新能源汽车电源系统的高效可靠运行。

FM富满微

富满微推出两款IPM功率模块

富满微正式推出单相半桥智能功率模块FMM05N60HE0，面向无刷直流电机驱动等低功率变频应用领域。该模块内部集成两颗 650V/5A 低导通阻抗 MOSFET 与一颗智能化 HVIC 高压栅极驱动电路，并内置高低侧欠压保护、过流保护、过温保护、SD 使能关断、FO 故障输出、双高互锁与死区时间等多项安全功能，确保系统运行的高效与可靠。同时，模块集成自举二极管，简化外围电路设计，兼容 3.3V~15V 宽范围信号输入电压，为系统设计提供更高灵活性。

FMM05N60HE0 采用高绝缘、优异散热性能的 CSOP-13L 封装，具备稳定可靠的环境适应性，适用于洗衣机、空调、水泵及风机等多种电机控制场景。凭借高集成度与完善的保护机制，该模块在家电与工业控制市场中，为高效、紧凑的变频驱动方案提供了新的选择。

同时推出的还有一款三相全桥智能功率模块，FMS10N60HD8是一款面向无刷直流电机驱动的三相全桥智能功率模块，专为洗衣机、水泵、风机等中低功率变频应用而设计。该模块内部集成6个低损耗650V/10A IGBT与3个半桥HVIC高压栅极驱动电路，具备欠压保护、过流保护、SD使能关断及温度输出等多重安全功能，确保系统在复杂环境中依然稳定可靠。此外，FMS10N60HD8采用高绝缘、易散热的DIP-25D封装，并集成自举二极管，简化外围设计，显著提升系统集成度与散热性能。

值得一提的是，FMS10N60HD8为每一相独立设置负直流端，便于分别检测电流，从而实现更精准的电机控制。其输入端兼容3.3V与5V信号电平，并支持高电平有效逻辑，满足多样化的控制需求。凭借优异的电气性能与完备的保护机制，该模块为家电及小功率工业驱动系统提供了一种高效、可靠且易于集成的解决方案。

Infineon英飞凌

英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS 7功率MOSFET

英飞凌以应用为导向推出全新OptiMOS 7功率MOSFET系列，面向工业与消费市场，扩展了原有汽车级产品组合。该系列针对不同应用场景进行专门优化，覆盖高性能开关、电机驱动及RDS(on)优化等领域，为多样化系统提供高效可靠的解决方案。

其中，OptiMOS 7 25 V系列专为开关应用设计，面向中间总线转换器、通信设备与服务器SMPS等场景，提供硬开关与软开关两种优化版本，RDS(on)降低至多20%，FOM提升达25%。OptiMOS 7 40 V系列则聚焦电机驱动应用，具备更低导通电阻、更强抗噪与三倍扩大的SOA范围，可有效降低电压过冲并提升恶劣环境下的稳定性，适用于电动工具与园艺设备等高可靠性需求场合。

英飞凌推出采用全新EasyPACK C封装的碳化硅功率模块

英飞凌推出全新 EasyPACK C 系列产品，作为EasyPACK 封装家族的最新成员，首款产品集成了 CoolSiC MOSFET 1200 V G2 技术，并采用英飞凌专有的 .XT 互连技术。该模块在降低静态损耗、提升可靠性方面表现出色，可满足工业领域对高能效与可持续发展的需求。借助 CoolSiC MOSFET G2 技术，新产品的功率密度较上一代提升逾 30%，使用寿命延长至 20 倍，导通电阻降低约 25%。全新的 EasyPACK C 封装设计进一步提升了功率密度与布局灵活性，为更高电压等级的产品奠定了基础，而 XT互连技术则有效延长了器件寿命。

该系列模块可在结温高达 200°C 的过载工况下稳定运行，配备全新PressFIT压接引脚，电流承载能力提升一倍，同时降低PCB温升并优化装配流程。改进的塑封材料与硅凝胶设计确保其在最高 175°C 的结温下依然可靠运行，并具备 3 kV AC/1 分钟的隔离等级。EasyPACK C 系列模块提供多种拓扑结构，包括三电平与H桥配置，并可选择含或不含热界面材料版本，助力系统实现更高能效、更长寿命及卓越的耐高温性能。

英飞凌推出首款100V车规级GaN

英飞凌正式推出CoolGaN 100V G1 车规级晶体管，并开始提供符合AEC-Q101标准的预量产样品，涵盖CoolGaN 高压（HV）车规晶体管及多种双向开关。此举体现了英飞凌在满足汽车行业多样化需求方面的持续创新能力——从适用于低压车载信息娱乐系统的 100V GaN 晶体管，到面向车载充电器与牵引逆变器的高压解决方案。随着汽车功能不断增加，如高级驾驶辅助系统、气候控制和信息娱乐系统，对高效功率转换的需求持续上升，同时需最大限度降低电池能量损耗。GaN 材料凭借更高能效、更小尺寸和更低系统成本，成为实现高能效电源解决方案的关键技术。

在软件定义汽车由12V向48V系统转型的过程中，GaN 基功率转换方案可显著提升性能，并支持线控转向、实时底盘控制等先进功能，进一步优化驾乘体验。凭借高能效与紧凑封装优势，英飞凌全新的 CoolGaN™ 100V 晶体管系列特别适用于区域控制、主 DC-DC 转换器、高性能辅助系统及 D 类音频放大器等车载应用场景。

LONTEN龙腾

龙腾半导体推出650V F系列IGBT新品

龙腾半导体正式推出四款全新650V F系列IGBT产品，涵盖15A、20A及40A电流规格，专为高频、高效电源设计打造。新品采用低饱和压降设计（VCE(sat)典型值仅1.5V），具备极低导通损耗与快速关断特性（Eoff最低仅0.19mJ），在提升系统效率的同时显著降低能耗与热损失，充分满足高频开关场景需求。

据龙腾实验室实测数据显示，该系列IGBT在关断损耗上达到国内外同代竞品平均水平，静态损耗表现更为优异。产品在效率、热管理与可靠性方面实现全面平衡，兼顾高效运行与温控表现，适用于电焊机、便携储能、不间断电源（UPS）、逆变器及充电机等多类高性能电源系统。此次发布标志着龙腾半导体在中高压功率器件领域再进一步，为高频高效电源应用提供了更具竞争力的解决方案。

ROHM罗姆

罗姆推出二合一SiC模块DOT-247

罗姆推出全新二合一结构SiC功率模块 “DOT-247”，适用于光伏逆变器、UPS及半导体继电器等工业应用。新模块兼具传统TO-247封装的通用性与更高的设计灵活性和功率密度，为高性能电源系统提供更优解决方案。随着光伏逆变器向高电压方向发展，三电平NPC、T-NPC及五电平ANPC等多电平电路需求迅速增长。ROHM通过将半桥与共源两种拓扑集成为二合一模块，使“DOT-247”成为适配多电平电路的理想选择。该模块不仅提升设计自由度，还能有效缩小电路尺寸。

“DOT-247”通过将两个TO-247封装结构一体化设计，配合更大芯片及ROHM独有内部结构，实现了更低导通电阻；其热阻较传统TO-247降低约15%，寄生电感降低约50%。在半桥结构中，功率密度可达传统TO-247的2.3倍，同时体积减少近一半。新产品提供半桥与共源两种拓扑结构，可灵活应用于NPC电路与DC-DC转换器等多种功率拓扑，显著减少元件数量与安装面积，加速系统小型化并降低设计与装配成本。产品阵容包括750V耐压的4款型号（SCZ40xxDTx）及1200V耐压的4款型号（SCZ40xxKTx），已于2025年9月起以月产1万颗规模量产。此外，符合AEC-Q101汽车级标准的版本将于2025年10月起提供样品。

罗姆推出SCT40xxDLL系列TOLL封装的SiC MOSFET

罗姆宣布正式量产TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列。与同等级耐压和导通电阻的TO-263-7L封装产品相比，新系列散热性能提升约39%，体积缩小约26%，厚度减半至仅2.3mm，在小型化的同时可实现更高功率输出。该系列具备750V漏源耐压，较常规TOLL产品更高，可在浪涌电压下抑制栅极电阻、降低开关损耗，适用于高功率密度服务器电源、储能系统（ESS）及扁平化工业电源等应用。产品覆盖13mΩ至65mΩ导通电阻共6款型号，已于2025年9月起量产，样品价为5,500日元/个（不含税）。

SK时科

时科推出高速低阻的100V的NMOS SKG95N10AD

时科推出的SKG95N10AD N沟道功率MOSFET，具备100V耐压、95A连续电流、5.5mΩ超低导通电阻和优化沟槽型DMOS结构，实现高速开关、低损耗与高可靠性的平衡。其超低导通阻抗和快速开关特性，能够显著降低能量损耗和EMI干扰，同时具备卓越雪崩耐量（405mJ）和优异热设计（PDFN 5×6封装、RθJC 0.65℃/W），保证系统在高频、高电流与复杂负载下稳定运行。

SKG95N10AD广泛适用于快充电源、LED照明、DC/DC转换模块及工业控制系统等高功率应用场景。晶圆层面的沟槽DMOS设计提升了电流均匀性与低阻抗性能，封装层面的高散热结构和多点焊接引脚保证大电流稳定传输，形成晶片—封装—系统的三重安全防护。凭借高效能、可靠性和兼容性，SKG95N10AD为中高功率转换系统提供核心驱动力，助力快充、工业控制与通信电源在高能效时代实现更稳定、更节能的运行。

時科推出一款专为高压系统设计的1200V SiC MOSFET SKSC120N080G1-ST7

时科推出的SKSC120N080G1-ST7——一款专为高压系统设计的N沟道碳化硅功率MOSFET，具备1200V耐压、30A连续电流和80mΩ低导通电阻。凭借SiC材料高击穿电场、高导热率与低栅极电荷特性，该器件在高压、高频、高温环境下仍能实现高速开关与低能耗表现，支持高功率密度与高效率设计。TO-263-7L封装结合优异散热性能与工业级可靠性，通过雪崩测试及结温175°C的验证，为系统提供稳健安全保障。

SKSC120N080G1-ST7广泛适用于光伏逆变器、储能变换、电动汽车车载充电器、快充桩、UPS及工业变频器等场景。其高效率、低损耗与高速特性可提升能量转换效率、缩小系统体积、减轻散热压力，实现高频化设计与精确控制。同时，从芯片、封装到内部铜框结构的三重优化，确保器件在高压、高负载及浪涌环境下长期可靠运行。

Vishay威世

威世推出四款采用eSMP系列 SlimSMA HV（DO-221AC） 封装的新型第七代整流器

威世近日发布四款采用 eSMP 系列 SlimSMA HV （DO-221AC） 封装的第七代 1200 V FRED Pt 超快恢复整流器——VS-E7JX0112-M3、VS-E7JX0212-M3 及其通过 AEC-Q101 认证的汽车级版本 VS-E7JX0112HM3、VS-E7JX0212HM3。新器件针对工业与汽车应用优化，在同类产品中实现了正向压降 VF 低至 1.45 V、反向恢复电荷 Qrr 低至 105 nC （典型值）、恢复时间仅 45 ns 的优异平衡，同时具备低结电容（典型 2.5 pF）和高浪涌能力（达 21 A）。器件采用 2.6 mm × 5.2 mm 紧凑封装，厚度仅 0.95 mm，比传统 SMA 更薄，CTI ≥ 600 、满足 IEC 60664-1 高压应用标准，支持系统小型化并降低 BOM 成本。

凭借平面结构和铂掺杂寿命控制技术，新一代整流器在确保可靠性的同时显著降低开关损耗并提升系统效率，可在 +175 °C 下稳定运行。其广泛适用于反激辅助电源的钳位、缓冲与续流电路、自举驱动高频整流，以及为快速开关 IGBT 和 Si/SiC MOSFET 提供去饱和保护。典型应用涵盖工业驱动与电动工具、EV 车载充电器与电机、储能与发电系统，以及 Ćuk 和 SEPIC 等工业 LED 电源。器件符合 RoHS 及 无卤 标准，湿敏等级达 J-STD-020 1级。

充电头网总结

近期功率半导体领域新品涵盖GaN、SiC以及各类功率模块等，从快充到工业系统应用、，几乎覆盖了当前市场多个应用场景。通过对华润微、富满微、英飞凌、龙腾、罗姆、时科威世这几家厂商新品的介绍，我们可以清晰看到行业在高效率、低损耗以及可靠性等方面的持续突破。