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美光宣布在美投资 2000 亿美元扩建芯片制造与研发，含 1500 亿内存制造和 500 亿研发，将建多座晶圆厂并引入 HBM 封装，获 64 亿美元政府支持。
美光称已送样 HBM4 内存，传输速率超 2.0TB/s，性能提升超 60%，多家投行上调目标价。
当前存储价格持续上涨，美光等厂商停产 DDR4，行业加速向 DDR5/HBM 迭代，AI 驱动存储需求增长。
美光 2000 亿美元扩产：HBM 引领存储芯片技术突围一、2000 亿美元投资加码美国本土制造
美光科技宣布将在美国投入约 2000 亿美元（1500 亿制造 + 500 亿研发），较原计划增加 300 亿美元，目标是实现本土 DRAM 产量占比 40%。具体布局包括：
产能建设：爱达荷州新建第二座晶圆厂（2027 年投产 DRAM），纽约规划 4 座晶圆厂，弗吉尼亚工厂扩建以引入 HBM 封装能力；
技术落地：构建端到端 HBM 制造链条，满足 AI 算力对高带宽内存的需求，同步获得 64 亿美元《芯片法案》资金支持；
产业影响：预计创造 9 万个直接 / 间接就业岗位，美国商务部长称其 “重塑本土半导体全产业链”。
二、HBM4 技术突破与市场资本共振
美光已向主要客户送样 12 层堆叠 36GB HBM4 内存，核心指标包括：
性能跃升：2048 位元接口，传输速率超 2.0TB/s，较前代提升 60%，适配 AI 服务器算力需求；
资本看好：瑞穗、瑞银等投行上调目标价（瑞穗至 130 美元），预测 2027 年美光 HBM 收入占 DRAM 比重达 45%，年增速 90%；
生态联动：英伟达黄仁勋称其为 “AI 生态关键一步”，苹果库克强调 “深化技术合作”。
三、存储价格上行周期与产品迭代
当前存储市场呈现双重趋势：
价格上涨：DDR4（8GB）4 月环比涨 22.2% 至 1.65 美元，NAND Flash（128GB）较去年底涨 34%，DRAM 现货价上周平均涨 8.2%；
产能调整：美光确认停产 DDR4（2-3 季度停供 PC / 数据中心），三星、SK 海力士跟进，行业转向 DDR5/HBM 迭代；
机构预判：交银国际指出供应端减产 + 下游拉货支撑涨价，甬兴证券强调 AI 驱动 HBM/SRAM 需求，存储周期复苏明确。
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