北京
【CNMO科技消息】据韩媒报道，尽管三星电子在高带宽内存（HBM）产品的质量测试上有所进展，但其半导体部门仍面临多重挑战。业内人士指出，以8层堆叠HBM产品为例，三星的供应时间比竞争对手晚了一年以上，这使其在技术差距和市场份额的追赶上存在明显局限。
在第五代HBM竞争中处于劣势的三星，正将翻身希望寄托在下一代HBM4产品上，目标是在今年内实现量产。然而现实并不乐观。用于HBM4的10纳米级第七代（1c）DRAM仍未完成开发，材料准备不足令HBM4的量产节奏存在不确定性。业内专家指出：“只有高附加值的HBM订单显著增长，三星DS（设备解决方案）部门的业绩才可能实现有意义的反弹。”
除了存储芯片外，三星半导体的另一大支柱——由晶圆代工和系统LSI组成的业务线也未见起色。据估计，2025年第一季度该业务线亏损超过2万亿韩元（约99.2亿元人民币）。其中，核心产品Exynos 2500因性能与良率未达预期，未能搭载于S25系列上，导致亏损持续。
在晶圆代工领域，由于3纳米及以下先进工艺尚未获得大型客户订单，三星在争夺高端客户上的劣势可能在短期内持续存在。
面对困局，三星正全力推进2纳米制程及相关产品的开发。公司正在集中力量开发Exynos 2600，并争取在年内实现量产。一位业内人士透露：“目前2纳米制程的良率相比去年同期的3纳米水平更为稳定，三星在该节点上的投入与期待显著提升。”尽管前路仍存挑战，但2纳米与HBM4被视为三星半导体业务能否逆转局势的关键支点。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
