北京
金融界2025年4月5日消息，国家知识产权局信息显示，上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“一种单晶硅晶圆及其制备方法”的专利，公开号CN 119753812 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本申请涉及一种单晶硅晶圆及其制备方法，所述方法包括：提供拉晶炉，在拉晶炉的坩埚中熔融硅料，并通过连续直拉形成单晶硅棒，其中拉晶炉内可活动设置有热屏装置；调整所述热屏装置和硅料液面的间隔距离对温度梯度进行控制，其中所述间隔距离在预设距离范围之内；向所述硅料施加横向磁场，以控制所述单晶硅棒的含氧量以及径向电阻率，其中所述横向磁场的磁场强度在预设场强范围之内；向所述拉晶炉内通入惰性气体，维持所述惰性气体的流速在预设流量范围内，维持所述惰性气体的压力在预设压力范围之内；旋转所述单晶硅棒和所述坩埚；对单晶硅棒进一步加工得到单晶硅晶圆。本申请的方法能够实现降低晶圆氧含量、缺陷密度以及电阻率均匀性的效果。
天眼查资料显示，上海新昇半导体科技有限公司，成立于2014年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币，实缴资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2046次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息678条，此外企业还拥有行政许可209个。
本文源自：金融界
作者：情报员
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