金融界2025年4月5日消息,国家知识产权局信息显示,上海新昇半导体科技有限公司申请一项名为“一种单晶硅晶圆及其制备方法”的专利,公开号CN 119753812 A,申请日期为2024年12月。
专利摘要显示,本申请涉及一种单晶硅晶圆及其制备方法,所述方法包括:提供拉晶炉,在拉晶炉的坩埚中熔融硅料,并通过连续直拉形成单晶硅棒,其中拉晶炉内可活动设置有热屏装置;调整所述热屏装置和硅料液面的间隔距离对温度梯度进行控制,其中所述间隔距离在预设距离范围之内;向所述硅料施加横向磁场,以控制所述单晶硅棒的含氧量以及径向电阻率,其中所述横向磁场的磁场强度在预设场强范围之内;向所述拉晶炉内通入惰性气体,维持所述惰性气体的流速在预设流量范围内,维持所述惰性气体的压力在预设压力范围之内;旋转所述单晶硅棒和所述坩埚;对单晶硅棒进一步加工得到单晶硅晶圆。本申请的方法能够实现降低晶圆氧含量、缺陷密度以及电阻率均匀性的效果。
天眼查资料显示,上海新昇半导体科技有限公司,成立于2014年,位于上海市,是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本238000万人民币,实缴资本238000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海新昇半导体科技有限公司共对外投资了2家企业,参与招投标项目2046次,财产线索方面有商标信息14条,专利信息678条,此外企业还拥有行政许可209个。
本文源自:金融界
作者:情报员
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