北京
金融界2025年3月26日消息，国家知识产权局信息显示，安徽格恩半导体有限公司申请一项名为“一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件”的专利，公开号CN 119674711 A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种设有量子限制斯塔克调控层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，所述有源层与下波导层之间设有量子限制斯塔克调控层。本发明调控有源层的电场分布，诱导产生畴壁运动，抑制有源层的量子限制斯塔克效应及InN相分离，改善界面质量，降低非辐射复合中心；增强光场限制和限制因子，提升激光器的光功率；所述量子限制斯塔克调控层产生晶格位移诱导相变改善InN和GaN的互溶隙，抑制有源层和波导层的InN偏析，降低In组分涨落，降低热退化，提升界面晶体质量和热稳定性，降低非辐射复合中心，提升激光功率和斜率效率。
天眼查资料显示，安徽格恩半导体有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8505.7882万人民币，实缴资本1316.6667万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽格恩半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息457条，此外企业还拥有行政许可12个。
本文源自：金融界
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
