又一种新型存储，被发明

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麻省理工学院的科学家们取得了一项突破性成就，他们利用光在材料中创造了一种独特的磁状态。通过应用激光，他们成功地将反铁磁材料转变为一种全新的磁状态。这一发现有可能彻底改变下一代内存和数据存储技术，为比当今标准先进得多的芯片铺平道路。

由物理学教授 Nuh Gedik 领导的研究小组专注于一种名为 FePS₃ 的材料，这是一种反铁磁体，在 -247°F 左右会转变为非磁性状态。他们假设，用激光精确激发 FePS₃ 原子的振动可以破坏其典型的反铁磁排列并诱导新的磁性状态。

在传统磁体（铁磁体）中，所有原子自旋都沿同一方向排列，因此磁场易于控制。相比之下，反铁磁体具有更复杂的上下上下自旋模式，这种模式相互抵消，导致净磁化为零。虽然这一特性使反铁磁体对杂散磁场具有很强的抵抗力——这对于安全数据存储来说是一个优势——但它也给有意将它们在“0”和“1”状态之间切换以进行计算带来了挑战。

Gedik 的创新激光驱动方法旨在克服这一障碍，有可能为未来的高性能内存和计算技术解锁反铁磁体。

该团队的创新方法是将 FePS₃ 样品冷却至其转变温度以下，然后用精心调整的太赫兹激光脉冲对其进行轰击。这些激光每秒振荡超过一万亿次，与材料原子的自然振动频率完美匹配。

令人惊讶的是，研究人员发现，这些脉冲将材料推向一种全新的磁化状态，并且这种状态在激光脉冲结束后还能持续几毫秒。

尽管几毫秒似乎转瞬即逝，但在量子世界中，与之前的尝试相比，这实际上是永恒，正如 Gedik 所强调的那样。

展望未来，研究人员的目标是改进和进一步了解这些感应磁相。最终目标是在下一代数据存储和处理硬件中利用反铁磁体。与当今的技术相比，它们的强磁畴能够抵抗杂散磁噪声，从而可以实现更密集、更节能的内存和逻辑芯片。

然而，在反铁磁计算机成为现实之前，仍然存在重大的工程挑战。该团队对此持乐观态度，他们在《自然》杂志上发表的突破性发现代表着朝着这一愿景迈出了关键

https://www.techspot.com/news/106090-mit-light-activated-antiferromagnetic-memory-could-replace-today.html

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