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金融界2024年12月19日消息，国家知识产权局信息显示，力旺电子股份有限公司申请一项名为“运用于非挥发性存储器的存储单元阵列布局结构”的专利，公开号 CN 119136542 A，申请日期为2024年5月。
专利摘要显示，本发明公开一种运用于非挥发性存储器的存储单元阵列布局结构。非发性存储器的存储单元阵列包括多个存储单元。每一个存储单元包括一电容器、一抹除栅元件(erase gate element)、一选择晶体管、一浮动栅晶体管与一开关晶体管。再者，在半导体基板上形成多个阱区，并将浮动栅晶体管形成于半导体基板上。而阱区的位置以及浮动栅极的形状也会特别设计。再者，设计至少二种不同外形的存储单元配置于半导体板上。因此，可以有效地缩小存储单元阵列布局结构的布局面积(layout area)。
本文源自：金融界
作者：情报员
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