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金融界2024年11月15日消息，国家知识产权局信息显示，上海积塔半导体有限公司申请一项名为“高深宽比铝刻蚀方法”的专利，公开号 CN 118943022 A，申请日期为 2024 年 7 月。
专利摘要显示，本发明提供一种高深宽比铝刻蚀方法，在刻蚀形成铝金属层时通过两步等离子体刻蚀完成：基于图形化的光刻胶层对铝层进行第一步等离子体刻蚀；第一步等离子体刻蚀的刻蚀气体为氯气及三氯化硼的混合气体、钝化气体为氮气；当第一步等离子体刻蚀的刻蚀速率降低在 25％以内时，对铝层及隔离缓冲层进行第二步等离子体刻蚀；第二步等离子体刻蚀在保持与第一步等离子体刻蚀的参数情况相同的前提下，在钝化气体中增加含碳氟元素的聚合物气体，且氮气的流量：含碳氟元素的聚合物气体的流量＝1：(1～2)。该刻蚀方法可降低刻蚀气体对沟槽侧壁的侧蚀，减弱甚至避免侧蚀槽的形成，保证高深宽比铝刻蚀形成的铝金属互连层的线宽，提高产品良率。
本文源自：金融界
作者：情报员
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