（原标题：IBM TLC型PCM：高达1000万次写入寿命）
蓝色巨人IBM与消费级产品越来越远，但IBM从来没有远离高科技行业，不论是7nm半导体工艺还是新一代AI智能或者别的尖端科学，IBM都是要肩负人类希望的（网友语“I人希”）。在下一代存储芯片上，Intel美光的3D XPoint已经迈出了革命性一步，不过点满黑科技天赋的IBM日前拿出了同样具备极强竞争力的PCM存储芯片——他们首次实现PCM芯片每单元存储3位数据，你可以把它理解成NAND闪存从1bit/cell的SLC闪存到3bit/cell的TLC闪存的改变。
IBM这次研发突破是有关PCM存储芯片的，大家可以了解一点PCM存储的基础知识：
PCM：（英语：Phase-change memory，英语：Ovonic Unified Memory，英语：Chalcogenide RAM，简称PCM, PRAM, PCRAM, CRAM），又译为相变位内存，是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫族化物玻璃的特性是，经加热可以改变它的状态，成为晶体（Crystalline）或非晶体（Amorphous）。这些不同状态具有相应的电阻值。因此PRAM可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。（WiKi百科）
也就是说PCM芯片是通过材料热变化来存储信息的，相比传统闪存或者内存芯片，PCM具备多个优点，比如写入次数可达1000万次，远高于NAND闪存（TLC闪存写入寿命不足1000，MLC多为3000-5000，SLC多为5000-10万），速度更快，是NAND闪存的50倍之多。
不过PCM存储从1960年代就开始研发了，直到现在也没有商业化，因为它虽然理论上优点多多，但制造可用的大容量存储还面临很多难题，其中一个关键就是PCM芯片每单元只能存储1位数据，也就是1BPC（bit per cell），你可以把它理解成SLC闪存那样，也是每单元存储1bit数据。
IBM这次的突破就在于他们首次制造出了3BPC芯片，换句话说这就相当于制造出了TLC类型的NAND闪存，有助于提高PCM存储容量，降低成本，这是PCM实用化必经之路。
日前在巴黎举行的IEEE国际存储工作组会议上，IBM苏黎世研究中心的科学家公布了这次研究成果，他们在64K单元阵列上首次实现每单元3bit数据存储，而且在极高温度及100万次可靠性循环之后依然能保持数据。
有兴趣的还可以看看IBM公布的这个视频（需要爬墙），里面采访了论文作者之一的Dr.Haris Pozidis，介绍了PCM的相关知识和进展。
不过写完这篇新闻之后，搜索了一下以前的旧闻，发现2011年我们就报道过IBM在多位存储PCM上的进展了，当时也是说IBM成功研发出多位存储PCM芯片了，只是没公布具体的数据。这么算的话，PCM存储离商业化应用还真的是非常遥远....
目前在闪存、内存领域堪称革命化同时能量产的只有Intel、美光研发的3D XPoint闪存，它的性能、可靠性指标虽然没有PCM这么强大，但性能、可靠性也达到了NAND闪存的1000倍，以及10倍容量密度，而且在2016年就能上市，进度是PCM比不了的。■
本文来源：PCPOP
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王晓易_NE0011
