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9月8日，英特尔晶圆代工（Intel Foundry）与阿斯麦（ASML）宣布，双方正持续推进高数值孔径（High NA）极紫外光刻（EUV）技术的量产应用。英特尔目前已通过早期设备认证、研发及部分量产环节处理超过100万片晶圆，高NA EUV已用于英特尔酷睿Ultra 3系列处理器“Panther Lake”部分层的量产。
英特尔表示，采用高NA EUV的英特尔18A制程产品性能达到或超过使用传统0.33数值孔径EUV光刻平台的同类层。双方还将继续推动光罩从目前的6英寸向6×12英寸大尺寸光罩过渡，同时通过光罩拼接技术，让客户在现有6英寸光罩条件下获得高NA EUV的部分优势。
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