广东
早在2024年，SK海力士就与台积电（TSMC）签署了谅解备忘录（MOU），双方就HBM产品生产和加强整合HBM与逻辑层的先进封装技术密切合作。其中一点是SK海力士将HBM4的基础裸片（Base Die）生产要转移到代工厂，以解决高性能计算中的热量、信号延迟和能效问题。由于HBM4E将大规模转向定制HBM，基础裸片将集成更多功能，改用逻辑工艺成为了必然趋势，SK海力士也为此提前做好准备。
据TrendForce报道，SK海力士正在考虑从HBM4E起，将部分基础裸片交由英特尔代工负责，以减少对台积电的依赖，建立多供应商体系，兼顾成本与供应链稳定性。如果这一举措得到确认，可以缓解SK海力士日益加剧的成本压力。
目前SK海力士采用了成熟的1β (b) nm（第五代10nm级别）工艺来制造HBM4所需要的DRAM芯片，最大程度地降低了量产过程中的风险。至于HBM4的基础裸片，虽然台积电提供了5nm和12nm可选，但是主要以后者为主，这也导致了SK海力士在与三星的竞争中有些吃亏。
基础裸片转换到代工厂就对HBM产品带来成本压力，先进制程节点的高成本可能让SK海力士的HBM产品定价高于三星。三星本身就有代工厂，预计会从内部生产中获得潜在的成本优势。台积电生产的HBM4基础裸片成本约为SK海力士DRAM芯片的3到4倍，预计到了HBM4E，这一差距还将进一步扩大。
考虑到HBM产品里，中长期供应协议的占比较高，SK海力士很难将成本转嫁给客户。如果英特尔代工能分担部分基础裸片的生产，将使SK海力士在管理成本方面拥有更大的灵活性，并提升供应的稳定性。最近SK海力士已经在美国加利福尼亚州圣何塞建立HBM架构设计团队，直接与主要的美国客户合作，为下一代定制HBM设计提供本地技术支持，同时还会为客户的产品开发提供协作，贯穿整个产品开发过程。
SK海力士已经对相关报道进行了回应，称难以确认其技术路线图的细节，且与“部分内容与事实不符”。
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