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《韩国先驱报》当地时间今日报道称，SK海力士正考虑实现先进HBM基础裸片 (Base Die) 的供应商多元化。
报道宣称英特尔代工 (Intel Foundry) 最早有望在 HBM4E 世代加入，结束台积电 (TSMC) 独占这部分订单的局面。
从HBM1到HBM3E，与DRAM Die同款的存储半导体工艺即可满足Base Die逻辑电路的需求。而随着复杂度和PPA要求的提升，SK海力士从HBM4开始将Base Die切换为逻辑半导体工艺，据悉其在HBM4上使用了台积电的12nm制程。
报道援引的消息人士表示，台积电Base Die报价显著高于SK海力士自产DRAM Die的成本，英特尔代工成为第二供应商将提升SK海力士在与台积电谈判时的议价能力。
SK海力士回应称“难以确认有关本公司技术路线图的内容”，“部分内容与事实不符”。
本文源自：IT之家
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