北京
分享至
《韩国先驱报》今日报道称，SK海力士正考虑让先进HBM基础裸片的供应商更加多元。报道宣称，英特尔代工最早有望在HBM4E世代加入，结束台积电独占这部分订单的局面。
从存储工艺到逻辑工艺的切换
从HBM1到HBM3E，与DRAM Die同款的存储半导体工艺就能满足Base Die逻辑电路的需求。但随着复杂度和PPA要求提升，SK海力士从HBM4开始把Base Die切换为逻辑半导体工艺，据悉其在HBM4上使用了台积电的12nm制程。
议价能力才是关键
报道援引消息人士的说法称，台积电Base Die报价显著高于SK海力士自产DRAM Die的成本。如果英特尔代工成为第二供应商，SK海力士在与台积电谈判时的议价能力会得到提升。
面对这一报道，SK海力士回应称“难以确认有关本公司技术路线图的内容”，并强调“部分内容与事实不符”。
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
