北京
国家知识产权局信息显示，华羿微电子股份有限公司申请一项名为“一种MOSFET器件的制备方法及MOSFET器件”的专利，公开号CN122662232A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明公开了一种MOSFET器件的制备方法及MOSFET器件，该方法包括：在衬底上生长第一外延层、第二外延层；进行δ离子注入，形成δ杂质峰；进行沟槽刻蚀，生长场氧化硅层；在场氧化硅层上形成场板多晶硅结构；沉积并刻蚀二氧化硅层，形成氧化硅隔离层；在氧化硅隔离层上部的第二外延层上生长栅极二氧化硅层，并沉积多晶硅层，回刻形成栅极多晶硅；在第二外延层的表层区域进行离子注入形成源离子注入区；形成介电层；在介电层上沉积金属层，形成栅极金属层和源极金属层；形成漏极，得到MOSFET器件。本发明采用δ杂质峰的外延层设计方法，实现提升击穿电压的同时，降低比导通电阻，从而提升器件性能和降低生产成本。
天眼查资料显示，华羿微电子股份有限公司，成立于2017年，位于西安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本41509.5832万人民币。通过天眼查大数据分析，华羿微电子股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目30次，财产线索方面有商标信息18条，专利信息242条，此外企业还拥有行政许可33个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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