晶合集成取得刻蚀装置相关专利，等离子体刻蚀装置可调节等离子体改善蚀刻均匀性

来源：新浪证券-红岸工作室

8月29日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“等离子体刻蚀装置及其机台”的专利，授权公告号CN224683088U，授权公告日为2026年8月25日。申请号为CN202521770373.7，申请公布日期为2026年8月25日，申请日期为2025年8月20日，发明人卞亚飞、董宗谕、张浩、张鹏鹏，专利代理机构华进联合专利商标代理有限公司，专利代理师杨明莉，分类号H01J37/32、H01J37/02、B08B15/04。

专利摘要显示，本申请涉及一种等离子体刻蚀装置及其机台，装置包括：腔室，包括位于腔室底的晶圆支撑部，该晶圆支撑部包括第一区域和周向包围该第一区域的第二区域；第一区域用于放置晶圆；等离子体生成部，用于在腔室内生成等离子体；调节组件，用于调节等离子体的回旋半径，经由连接结构固定于第二区域，包括用于生成第一局域磁场的阻挡环，以及周向包围阻挡环，生成第二局域磁场的线圈；阻挡环通过定位结构与线圈相连；电机，用于为调节组件供电。通过设置收紧线圈和可伸缩阻挡环，改变收紧线圈和可伸缩阻挡环的电流大小和位置关系，进而实现对内外圈plasma密度（运动轨迹）的调整，改善蚀刻均匀性。

晶合集成是国内领先的12英寸晶圆代工服务商，具备特色工艺技术壁垒，2015年5月19日成立，2023年5月5日于上海证券交易所上市，注册地为安徽省合肥市，办公地涵盖安徽省合肥市与香港特别行政区。

晶合集成主营业务为12英寸晶圆代工，聚焦先进工艺研发应用，可向客户提供多制程节点、多工艺平台的晶圆代工服务，所属申万行业为电子-半导体-集成电路制造，覆盖MCU概念、集成电路、汽车芯片等热门概念板块。

2026年上半年，晶合集成实现营业收入59.57亿元，在所属7家同行业企业中排名第4，当期行业营收第一名中芯国际为386.35亿元、第二名华虹宏力为95.74亿元，行业营收平均数93.45亿元、中位数59.57亿元；同期实现净利润2.22亿元，同样在7家同行业企业中位列第4，行业净利润第一名中芯国际为64.39亿元、第二名赛微电子为26.75亿元，行业净利润平均数14.11亿元、中位数2.22亿元。公司当期营收中，集成电路业务贡献57.66亿元，占比96.80%，其他补充业务收入1.91亿元，占比3.20%。

业绩指标2026年上半年数值行业排名/总家数行业头部企业对应数值行业平均数行业中位数营业收入59.57亿元4/7中芯国际386.35亿元、华虹宏力95.74亿元93.45亿元59.57亿元净利润2.22亿元4/7中芯国际64.39亿元、赛微电子26.75亿元14.11亿元2.22亿元集成电路业务收入57.66亿元其他补充业务收入1.91亿元

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1晶体管制备方法、晶体管及电子设备发明专利公布CN202611164387.32026-08-03CN122662269A2026-08-28张盖、罗钦贤、吴明晏、南子昱、王雪2半导体测试结构及测试方法发明专利公布CN202611150791.52026-07-31CN122652240A2026-08-28马盟、鲍丙辉、李倩娣3一种Fin FET器件及其制造方法发明专利公布CN202611147204.72026-07-30CN122662243A2026-08-28李猛猛、唐鹏飞、魏巍4一种校正方法、计算机可读存储介质及光刻机发明专利公布CN202611141368.92026-07-30CN122652910A2026-08-28李海峰、赵志豪、张祥平、黄玉5基于图形轮廓顶点匹配的GDS版图对比方法及系统发明专利公布CN202611132347.02026-07-29CN122637020A2026-08-25刘苑、查乐、田姿璘6半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202611116631.92026-07-27CN122641036A2026-08-25张君良、江澳、田贝贝、谢智宇、王韦顺7一种SRAM噪声边缘分析方法及装置、系统、存储介质发明专利公布CN202611115006.22026-07-27CN122637856A2026-08-25田志锋8基于场景的根因预测模型训练方法、装置、设备、介质和程序产品发明专利公布CN202611100269.62026-07-23CN122616744A2026-08-21崔恒丽、张利强、俞洁、林今焕9半导体器件的形成方法和半导体器件发明专利公布CN202611088837.52026-07-22CN122622329A2026-08-21王淑娜、宋富冉、刘乃硕10半导体结构制备方法及半导体结构发明专利公布CN202611091082.42026-07-22CN122622285A2026-08-21胡一凡11半导体器件结构及其制备方法发明专利公布CN202611090819.02026-07-22CN122622310A2026-08-21刘洋、李琦琦、祝君龙12埋入式栅极结构及制备方法发明专利公布CN202611065450.82026-07-17CN122602562A2026-08-18江珂、林祐丞、杨智强13离子注入工艺光阻层厚度的安全性验证方法及选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611022452.92026-07-10CN122535230A2026-08-07夏陈红、程挚14对准系统校正方法、基准点标记板及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016741.82026-07-09CN122535209A2026-08-07毛文龙、李海峰、黄玉、吴建宏15光学邻近效应修正方法及装置、半导体器件制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611016093.62026-07-09CN122525844A2026-08-07赵广、罗招龙16半导体物料的动态存储方法、装置、设备、介质发明专利公布CN202611016172.72026-07-09CN122596837A2026-08-18卫春生、汪杰、李翔、曹齐清、严倩倩、李佳蓓、张乐、蔡栋煌17半导体工厂的高处作业行为识别方法、装置和设备发明专利实质审查的生效、公布CN202611009342.92026-07-08CN122510972A2026-08-04毛周亮、夏慧、徐旻芮、黄俊旗、李天定18半导体器件的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611000593.02026-07-07CN122514031A2026-08-04刘苏涛19一种含有间隔交叉空气间隙的半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001373.X2026-07-07CN122514244A2026-08-04崔立加、余义祥、王梦晴、李敏新20图像传感器及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611001464.32026-07-07CN122514061A2026-08-04康绍磊、汪凯伦21对准标记的异常检测方法及提高光刻工艺套准精度的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202611002015.02026-07-07CN122506782A2026-08-04陈大业、李海峰、黄玉22一种半导体器件的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610999508.X2026-07-07CN122514030A2026-08-04武莹莹23面向设计-制造的多智能体协同方法、系统及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610992342.92026-07-06CN122509026A2026-08-04陈健、秦绪威、刘哲儒24晶圆测试路径的规划方法、装置、探针台、设备及介质发明专利公布CN202610986471.72026-07-03CN122497321A2026-07-31王朋、杨锃、李飞25一种背照式图像传感器晶圆键合方法及背照式图像传感器发明专利公布CN202610976510.52026-07-02CN122476835A2026-07-28沈娅、许超、杨少华26测量混合键合强度的方法、监测机台稳定性的方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610970010.02026-07-01CN122476885A2026-07-28伍德超、陶磊、梁健27一种背照式图像传感器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610968214.02026-07-01CN122476695A2026-07-28张庆庆、谢荣源、宋明明、温海龙28半导体器件及其制备方法发明专利公布CN202610967959.52026-07-01CN122476654A2026-07-28周同、王维安、程洋29一种金属硅化物的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610966312.02026-07-01CN122476658A2026-07-28刘苏涛30一种半导体器件及其制作方法发明专利公布CN202610966313.52026-07-01CN122476669A2026-07-28李燕、宋富冉、王淑娜、刘乃硕31半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959576.32026-06-30CN122476903A2026-07-28魏榕、沐凡、韩壮壮、季小龙、张正32半导体结构及其制作方法发明专利公布CN202610959724.12026-06-30CN122476904A2026-07-28马亚强、张正、季小龙、韩壮壮、魏榕33一种半导体结构的制作方法发明专利公布CN202610953205.42026-06-30CN122476657A2026-07-28江道、林豫立、刘哲儒34一种半导体器件制备方法、半导体器件和图像传感器发明专利实质审查的生效、公布CN202610941777.02026-06-29CN122476834A2026-07-28伍德超、郝小强35测试结构、测试方法及测试系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610925895.22026-06-25CN122487862A2026-07-31王朋、杨锃、李飞36曝光场间的对准标记及其形成方法、封测工艺发明专利公布CN202610902754.92026-06-23CN122431066A2026-07-21张传稳、陈晓妍、於飞飞37晶圆生产工艺流程管控方法、电子设备和存储介质发明专利公布CN202610902753.42026-06-23CN122453119A2026-07-24黄柱、檀明伟、沈统一、范夏玲38光掩模版设计图形的处理方法、处理装置及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610894083.62026-06-22CN122410885A2026-07-17殷诗淇、罗招龙、王康39半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893210.02026-06-22CN122438361A2026-07-21章航、郭哲劭、郭廷晃、薛翔、宋明40一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610893494.32026-06-22CN122438556A2026-07-21牛苗苗、高志杰41一种晶圆键合方法及键合晶圆发明专利实质审查的生效、公布CN202610882602.72026-06-18CN122421814A2026-07-17伍德超、郝小强、梁健、张立弟、张天阳42半导体器件及其制备方法、芯片发明专利实质审查的生效、公布CN202610888879.02026-06-18CN122421383A2026-07-17宋明、郭哲劭、郭廷晃43一种二极管的测量结构、测量方法及集成电路发明专利实质审查的生效、公布CN202610873754.02026-06-17CN122396281A2026-07-14张立涛、姚子凤、张倩、方昕、郑启涛44一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874647.X2026-06-17CN122396131A2026-07-14周成45一种光刻胶膜层涂布情况的检测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610873529.72026-06-17CN122410902A2026-07-17张雅丽、赵志豪、黄玉、毛文龙46半导体结构、半导体存储器及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610874649.92026-06-17CN122421333A2026-07-17庄鹏程、宋富冉、刘乃硕47半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610859340.22026-06-15CN122396222A2026-07-14张会成、高志杰48文本识别方法、系统及存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610856457.52026-06-15CN122392084A2026-07-14杨思磊、陈云飞、李飞49一种晶圆关键尺寸量测方法、系统及机台发明专利实质审查的生效、公布CN202610851078.72026-06-12CN122421738A2026-07-17余钿钿50一种OPC建模方法、系统及计算机可读存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610822265.22026-06-09CN122386578A2026-07-14王康