近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称“富加镓业”)完成新一轮过亿元融资。
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近日,杭州富加镓业科技有限公司(以下简称“富加镓业”)完成新一轮过亿元融资。本轮融资由衢州东峰、上海科创、富阳产投、源创基金联合投资,老股东中国互联网投资基金及中科神光持续追加。融资资金将主要用于大尺寸氧化镓单晶及外延片研发及规模化量产、下游功率器件联合验证,以及核心长晶装备的持续迭代。
富加镓业成立于2019年12月31日,专注于超宽禁带半导体氧化镓材料的产业化。
· 第四代半导体的材料优势
氧化镓属于第四代半导体(超宽禁带半导体)的代表性材料。与第三代半导体碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)相比,氧化镓的禁带宽度达到约4.9eV,远高于碳化硅的3.25eV和氮化镓的3.4eV。更宽的禁带宽度赋予氧化镓耐高压、耐高温、大功率、抗辐照等特性。其临界击穿电场高达8MV/cm,是碳化硅的3倍多;巴利加优值达到3444,分别是氮化镓的4倍和碳化硅的10倍,意味着氧化镓在功率器件应用中具有较低的导通损耗,功率损耗仅为碳化硅的1/7、硅的1/49。
从技术指标来看,据中国互联网投资基金消息,富加镓业是目前全球唯一一家具备12英寸氧化镓单晶制备技术的企业;其外延薄膜迁移率已接近氧化镓材料理论水平,实现了国际公开报道最高值。
· 国内资本持续注入
值得关注的是,富加镓业并非近期唯一获得大额融资的氧化镓企业。2026年8月,杭州镓仁半导体有限公司宣布完成数亿元A轮融资,由方广资本、深创投集团联合领投,远致星火、中国中车、株洲高科产投等机构跟投。2026年7月,北京铭镓半导体有限公司完成超1.5亿元Pre-B轮融资,由千曦资本、芯禾资本、安阳经开集团、粤科金融、天鹰资本、洪泰基金联合投资。
· 国内封装技术加速突破,氧化镓技术迈入关键阶段
氧化镓(β-Ga₂O₃)禁带宽度约4.8eV、临界击穿电场超8MV/cm,在功率器件领域性能优势显著。但其热导率仅11–27 W·m⁻¹·K⁻¹,约为硅的1/6、碳化硅的1/20,自热效应严重制约了器件性能与可靠性。如何通过封装散热技术弥补这一短板,已成为氧化镓从实验室走向应用的关键环节。
双面封装+微通道冷却技术
西安电子科技大学郝跃院士、张进成、周弘、冯欣等团队提出了一种双面封装与微通道冷却集成的主动热管理策略。该方案通过纳米银烧结工艺实现双面封装,搭配铜基微通道冷却模块。
据公开报道,该技术使器件结-环境热阻从39.8 K/W降至13.3 K/W,降低66.6%;在4.5W功耗条件下,结温降低58%。电学性能方面,近结区热量的高效抽取使3V偏压下电流密度提升至512 A/cm²,提升幅度为19.8%,比导通电阻降低至3.50 mΩ·cm²。
可靠性测试显示,在6000秒正向偏置应力测试后,器件电流仅衰减7.3%,显著优于传统封装结构。微通道冷却的引入进一步提升了冷却效率,在高功率条件下将结温维持在72.8℃。
柱状界面与高介电常数界面,两种创新性器件-封装界面设计
香港大学张宇昊团队联合弗吉尼亚理工大学、南京大学,首次实现超宽禁带(UWBG)氧化镓功率模块集成封装,提出器件-封装一体化设计以及电–热–机械协同优化策略实现了1000 V/200 A高功率动态开关工作能力,功率容量较以往提升十倍以上。
针对氧化镓导热率低,封装后耐压下降以及应力集中的问题,开发基于结散热“柱状界面”和“高介电常数界面”两种结构。前者通过物理隔离高场区保持器件耐压,后者利用极化效应进一步提升耐压并降低50%热阻,同时改善热应力匹配。该研究实现了功率模块性能、热管理与可靠性的系统性平衡。
在学术突破的基础上,产业端的验证与落地同步推进。
富加镓业联合上海功成半导体,围绕第四代半导体氧化镓产业化核心技术开展“材料-器件-应用”全产业链协同攻关。据多家媒体报道,这是我国实现氧化镓全产业链贯通的首次尝试。依托富加镓业MOCVD氧化镓外延片,成功制备垂直肖特基二极管(SBD)器件,已通过芯片级测试和封测环节。
长江光电产投与昌龙智芯于2026年4月在武汉九峰山论坛签署战略合作协议,将构建“芯片设计-先进封装-终端应用”的闭环生态,共同攻克氧化镓材料在高压应用场景下的关键散热及可靠性等技术难题。
· 面临的挑战
尽管进展显著,氧化镓的规模化产业化仍面临多重挑战。氧化镓存在高温下易分解、易开裂的特性,导致大尺寸产品制备难度极大。与已相对成熟的碳化硅、氮化镓产业链相比,氧化镓在材料制备、器件设计、可靠性验证等环节仍有大量工程化问题待解。这也意味着氧化镓从技术突破到规模商用的时间表尚需持续观察。
2026年9月3日至6日,第二十一届中国国际中小企业博览会(以下简称“中博会”)将在广州举行。作为中博会体系中最具技术深度与产业价值的专业展之一,中国集成电路专精特新展览会(IC- SRDI 2026)将以“专精驱动、链动未来”为主题,构建链接国家战略、产业链协同与全球资源配置的高能级平台,全面呈现中国集成电路企业的创新跃迁路径。
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