广东
据韩国《韩民族日报》8月21日报道，韩国存储芯片巨头SK海力士正在推进一项投资计划，拟斥资数十万亿韩元（10万亿韩元约合72亿美元）在日本东北地区宫城县建设一座存储芯片晶圆厂（Fab）。这将是韩国半导体企业首次在日本进行大规模投资设立本地生产基地。
报道称，SK集团会长崔泰源近期已亲自视察了日本宫城县。目前日本宫城县正与九州、北海道一同被日本政府列为重点扶持的半导体产业三大核心基地。日本政府近年来通过巨额补贴和优惠政策吸引全球芯片制造商落户，宫城县所属的东北地区聚集了大量半导体材料与设备厂商，电力配套完善，产业工人储备充足。
业内预计该项目的投资规模将在数十万亿韩元级别，但相较于SK海力士在韩国本土龙仁及湖南半导体产业集群数百万亿韩元的投资体量，日本项目属于相对较小规模的生产基地建设。分析人士指出，日本工厂可能承担特定产品线或面向特定区域市场的生产任务，作为韩国本土制造体系的重要补充而非替代。
若该计划顺利落地，SK海力士将成为继美国美光（Micron）、中国台湾台积电之后，第三家在日本设立半导体制造工厂的海外企业。目前，美光已宣布在日本广岛县扩建DRAM工厂并获日本政府补贴支持，台积电则与索尼、电装合作在熊本县建设晶圆代工厂。相比之下，韩国另一大存储巨头三星电子目前在日本的投资布局相对保守，仅在日本横滨设有下一代半导体封装研究所。
分析人士指出，该计划落地仍面临多重阻碍：
1、美国施压风险。 美国正持续施压韩国企业扩大对美存储芯片投资，一旦SK海力士对日投资落地，或将进一步倒逼美方提出扩大在美国本土建厂的诉求。
2、韩国国内舆论阻力。 半导体被视为韩国的战略产业，韩国国内对战略产业领域的大规模对日投资抱有警惕心理，叠加政治层面的不确定性，也构成重要变量。
总结来看，目前该项目仍处早期阶段， 投资规模、建设时间均未敲定，工厂将生产DRAM还是NAND、是前端晶圆制造还是封装，均不明确。最终该项是否能够落地仍有待进一步观察。
对于上述报道，SK海力士方面回应称：“任何具备必要基础设施的地点都可能纳入评估范围，但关于在日本建厂以及具体选址，尚未做出任何决定。”
值得注意的是，SK海力士近期资本运作频繁。8月19日，公司刚批准了一项40万亿韩元的股份回购注销计划。此前，公司还宣布在韩国龙仁和清州投资约54万亿韩元建设新工厂，包括龙仁Y2 DRAM工厂（35.2万亿韩元）和清州M17 NAND工厂（19.1万亿韩元），计划于2028年至2029年陆续投产。
编辑：芯智讯-浪客剑
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
