北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“利用间隔层的纵向缝隙提升绕线密度的方法”的专利，公开号CN122602849A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种利用间隔层的纵向缝隙提升绕线密度的方法，包括：步骤一，提供衬底，在衬底上形成层间介质层；步骤二，实施第一刻蚀，在层间介质层中形成用于填充M1金属层的第一沟槽；步骤三，实施第二刻蚀，在层间介质层中形成用于填充阻断M1金属层的间隔层的第二沟槽和用于实现部分M1金属层之间互连的第三沟槽；步骤四，在第二沟槽和第三沟槽内沉积间隔层，位于第三沟槽内的间隔层中形成纵向缝隙；步骤五，在第一沟槽和纵向缝隙内填充M1金属层。利用间隔层沉积形成的纵向缝隙实现同层金属线之间的互连，取代传统的上层金属和通孔，为后端布局布线节省出线道，降低工艺成本，减少寄生电容和寄生电阻，提升芯片性能。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2102次，专利信息2888条，此外企业还拥有行政许可550个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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