北京
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国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司申请一项名为“NORD闪存器件结构及其制作方法”的专利，公开号CN122340811A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供一种NORD闪存器件结构及其制作方法，NORD闪存器件的制作方法中，在浮栅多晶硅刻蚀工艺之后，隧穿氧化层/字线多晶硅层形成之前，通过字线窗口进行源极离子注入，形成源极线，NORD闪存增加SL结构，能够实现同时读取相邻双位电流及电流大小对比，为NORD实现高可靠性信息存储提供可执行方案。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目920次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7847条，此外企业还拥有行政许可461个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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