北京
国家知识产权局信息显示，微玖（苏州）光电科技有限公司申请一项名为“一种锑基抑氧AlGaInP红光Micro-LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122318412A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请公开了一种锑基抑氧AlGaInP红光Micro‑LED芯片及其制备方法，芯片外延片包括GaAs衬底、n型GaAs缓冲层、n型AlGaInP刻蚀阻挡层、n型GaAs欧姆接触层、n型AlGaInP限制层、量子阱结构、p型AlGaInP间隔层、p型AlInP电子阻挡层及p型GaP欧姆接触层；其中高铝组分的n型AlGaInP限制层、量子垒层、p型AlGaInP间隔层、p型AlInP电子阻挡层中均掺入锑原子；利用锑原子优先占据铝表面活性位点，阻断氧原子吸附路径，将外延层氧杂质并入率降低50%以上，显著抑制铝氧深能级缺陷形成与侧壁漏电，提升器件内量子效率与可靠性，同时简化制备工艺，降低生产成本。
天眼查资料显示，微玖（苏州）光电科技有限公司，成立于2023年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本537.9214万人民币。通过天眼查大数据分析，微玖（苏州）光电科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目1次，专利信息35条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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