北京
美东时间 7 月 1 日，三季度首个交易日，全球存储产业链迎来一波无差别深度回调。美股、韩股存储龙头集体跳水，费城半导体指数同步大幅走弱，上半年一路狂飙的 HBM、内存、闪存赛道，迎来开年以来最猛烈的一轮获利盘出逃。
美股市场，存储全线沦陷：
Micron（美光科技）收盘暴跌10.57%，短期市值大幅回撤；
Sandisk（闪迪）暴跌超 10.6%；
Western Digital（西部数据）同步大跌约 7%，NAND 闪存板块全线承压。
存储龙头集体重挫直接拖累纳斯达克指数，AI 硬件、半导体设备板块同步走弱，资金从高位算力硬件赛道集体撤离。
大洋另一端，韩国两大存储巨头未能独善其身。7 月 1 日韩股收盘，SK 海力士下跌约 3.4%，收盘报 256 万韩元；三星电子同步震荡回调，股价在 30 万韩元关口持续承压。到 7 月 2 日韩股盘前阶段，恐慌情绪进一步发酵，盘前预估价三星跌 7%、SK 海力士跌 8%，市场悲观情绪集中释放。
一、本轮集体暴跌，三大核心导火索1. 上半年涨幅透支，机构集中落袋为安
本轮存储牛市从 2025 年末启动，AI 服务器爆发式需求拉动 HBM、高端 DRAM 价格持续上行，赛道走出史诗级行情： 闪迪年内涨幅超 700%、美光涨幅 260%+、西部数据股价翻 2 倍；三星、SK 海力士韩股年内最大涨幅同样翻倍。二季度费城半导体指数涨幅近 90%，板块筹码高度拥挤，大量公募、对冲基金在三季度首个交易日集中兑现丰厚收益，抛压集中踩踏，放大单日跌幅。
2. Meta 算力租赁消息冲击，市场担忧 AI 资本开支放缓
当日 Meta 放出重磅消息，计划开放自有闲置 AI 算力对外租赁，向外部客户出售模型与算力资源。市场直接解读为两大悲观预期： 一是头部云厂商当前算力供给已经过剩，后续新增存储、GPU 采购需求将大幅收缩； 二是全球 AI 大厂资本开支扩张斜率见顶，持续一年多的存储需求高增逻辑迎来松动。消息一出，上游存储、光通信、半导体设备同步遭到抛售。
3. 韩国 5200 亿美元史诗级扩产，远期供给过剩风险被提前定价
就在上周，韩国政府联合三星、SK 海力士抛出总规模约 5200 亿美元的十年半导体扩产计划，新建四座存储晶圆厂，目标五年内 DRAM 产能直接翻倍，新增产能全部倾斜 HBM、服务器 DRAM 赛道。 资本市场产生分歧：短期看，AI 对高端存储需求依旧紧缺；长期看，海量新增产能将在 2027-2028 年集中落地，一旦 AI 需求增速不及供给扩张速度，存储价格周期将快速下行。资金提前博弈远期供给压力，提前抛售存储标的规避周期高点风险。
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