大联大诠鼎携手东芝解读高效率电源转换方案

大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手全球功率半导体领导厂商东芝（Toshiba）成功举办“东芝高效率电源转换与功率组件应用”线上研讨会。本次会议聚焦东芝在硅基低压/高压MOSFET与SiC MOSFET的最新产品、应用重点及后续技术演进方向，并结合高功率应用的参考设计，协助工程团队更快落地、有效缩短开发周期。

当前，全球能源转型加速推进，电源技术正朝着更高能效、更高功率密度、更低综合成本的方向迭代升级。面对日益严苛的能效标准与更加紧凑的系统空间，功率器件的选型与拓扑设计已成为决定产品效能的关键分水岭。东芝的硅基半导体与SiC器件最新产品，为AI服务器、数据中心与工业电源带来了高功率密度与高效率设计的全新可能。

会上，台湾东芝电子零组件股份有限公司FAE经理叶侑哲（Peter Yeh）全面分享了对AI服务器趋势下设计思维的更新。他指出，为满足AI算力爆发带来的高功率密度需求，电源架构正加速向HVDC（高压直流）方向演进。东芝已制定清晰的功率器件发展路线图，依托自有设计与工艺能力，全面布局硅与碳化硅（SiC）全品类功率器件。

在低压MOSFET（LVMOS）部分，叶侑哲介绍了东芝的技术路线图及商业化时间表。针对40V和80V产品，东芝正通过下一代工艺追赶并超越竞争对手的最低导通电阻（Rdson）。他表示，U-MOS11-H 80V系列产品已上市，其中TPM1R408RH型号在Rdson与栅极电荷（Qg）等关键参数上表现优于竞品。该产品具备卓越的温度特性，在三款同类器件中综合性能最佳。

针对高压MOSFET（600V-650V），叶侑哲展示了DTMOSVI系列的设计理念与演进路线。该系列提高掺杂浓度以降低Rds(on)及缩小Die Size，显著提升了器件性能及竞争力，Rdson×Qgd指标已达业界先进水准。基于DTMOSVI 600V平台开发的高速恢复二极管型HSD系列，相比上一代在Qg、反向恢复电荷（Qrr）以及高温损耗方面均有明显改善。以DTMOSVI 600V HSD 58mΩ DFN8×8封装器件为例，尽管在输入电容（Ciss）和输出电容（Coss）上略逊于某竞品第七代产品，但在Rdson、Qg、Qgd等关键效率指标上表现更为优异。

在备受关注的SiC领域，东芝披露了离散式SiC MOSFET的发展路线图。下一代沟槽栅MOSFET将以QDPAK封装为首发产品，后续将逐步扩展封装类型、电压等级和导通电阻系列。东芝已量产的第三代SiC MOSFET具备低Rds(on)&温度稳定性。通过内置SBD（肖特基势垒二极管）抑制晶格缺陷导致的Rds(on)退化，同时减小芯片尺寸以达到更好的性能表现及提升产品竞争力。

在芯片开发路线图上，东芝下一代沟槽栅SiC MOSFET预计将Rdson×A（单位面积导通电阻）较第三代降低超过50%，同时获得更优的Rdson×Qgd，有望成为单位功率成本最佳的SiC MOSFET产品。在开关特性方面，下一代沟槽器件可实现与某一线厂商第二代产品相当的损耗水平。此外，跨导的改善使得器件支持VGS=15V驱动电压，显著提升了易用性。第三代SiC SBD同样表现出色，可提供业界最低的Vf(1.2V)，范例中，应用于PFC电路，能有效提升整机效率。

为帮助工程师快速验证设计、缩短产品上市周期，东芝提供丰富的参考设计资源，涵盖电源与电机控制两大领域。这些参考设计结合了东芝最新功率器件与典型拓扑结构，可直接用于AI服务器电源、数据中心备用电源及工业开关电源等场景。

随着AI算力需求的爆发式增长，数据中心单机柜功率密度已从过去数kW至数十kW,快速提升至数百kW等级，并随着800 VDC架构的导入，进一步向MW级AI rack / rack-scale power system发展，电源转换效率与功率密度成为系统设计的核心挑战。大联大诠鼎集团与东芝的此次深度技术交流，不仅展现了东芝在硅基与碳化硅功率器件领域的全面布局与技术实力，也为广大电源工程师提供了切实可行的选型指南与设计思路。

未来，大联大诠鼎将持续携手东芝，以更高效的功率器件与本地化技术支持，助力亚太区客户在AI服务器、数据中心及工业电源领域实现高效率、高可靠性的创新设计。

作为全球领先电子元器件分销商，大联大诠鼎集团凭借多年的渠道经验，不仅是零件供应商，更是客户的技术战略伙伴。为迎战全球化布局，自2026年起，原品佳、诠鼎、友尚三大集团整合为全新的诠鼎集团，深度聚合三方优势资源，实现资源更集中、服务更全面、供应链韧性更强的综合效益。通过整合数字化供应链管理与专业技术支持优势：在开发端，协助解决技术难题，加速产品上市；在量产端，提供精准的库存管理与实时交货服务，致力于为客户优化营运成本、应对市场变局，并提供稳定、及时的交付承诺。