北京
据相关消息，SK hynix已经完成其375层NAND闪存产品的验证工作，并计划在2026年底前于现有工厂正式投入量产，以满足不断增长的存储容量需求。目前，该公司主力生产的是321层V9 NAND闪存，未来将通过工艺转换，使产线具备支持更高层数闪存解决方案的能力。 在NAND闪存堆叠层数的竞争中，SK hynix选择了一条更为务实的路径。尽管行业此前已纷纷喊出向400层以上冲击的口号，甚至三星也通过双堆叠方案将V-NAND层数推至400层以上并展示过高达900层的技术路线，但SK hynix却将375层产品作为阶段性的量产节点。据了解，SK hynix内部曾将这一代产品定位为“400层级”NAND，但在实际开发过程中，由于在单片晶圆上堆叠过多层数时遭遇了严重的工艺挑战与信号传输难题，最终将设计修正为375层。行业人士透露，原本规划的400层级产品被调整为375层，而整个路线图则向后延伸至480层和604层等更高堆叠的产品节点。 要想继续向480层、604层甚至更高的层数迈进，依靠现有的材料体系已经难以为继。报道指出，SK hynix需要在关键导电材料上进行重大调整，逐步放弃目前普遍使用的钨，转而采用钼作为新一代互连材料，以应对高堆叠层数带来的电阻与信号完整性挑战。在高堆叠3D NAND结构中，随着垂直方向导线通道尺寸不断微缩，钨的电阻变得难以控制，信号传输衰减和延迟问题急剧凸显，成为继续增加闪存堆叠层数的“物理天花板”。相比之下，钼在高电阻环境中表现出更优异的性能，能够在更窄的布线条件下保持良好的导电特性，因此被视为突破高堆叠闪存瓶颈的关键材料之一。 三星已经在部分NAND工艺中率先导入钼材料，并计划在今年进一步扩大其V-NAND的生产流程，推出首款400层级产品，以巩固其在高端存储市场的领先地位。而SK hynix则将在逼近更高层数产品时再完成从钨到钼的材料替换，以缩小与竞争对手在技术路线上的差距。 随着人工智能、云计算、高性能终端与企业级数据中心对存储容量和性能的要求持续攀升，3D NAND堆叠层数的不断攀升被视为提高存储密度、降低单位存储成本的核心方向。然而，这也意味着厂商需要投入更多资金用于购买新材料、升级设备乃至转换产线，以支撑更高复杂度的堆叠与加工流程。以钼为例，其市场需求在近几年显著增长，已成为NAND供应链中的重要原材料之一。三星去年采购了约4吨钼，今年至今的累计采购量已增至约10吨，而随着SK hynix的加入导入，预计今年其用量也将达到约4吨。产业机构预测，随着400层级及更高堆叠NAND进入量产阶段，钼的全球市场需求将进入快速上升通道。
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