北京
国家知识产权局信息显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司申请一项名为“一种二氯二氢硅金属杂质测试方法”的专利，公开号CN122150366A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明涉及二氯二氢硅检测技术领域，尤其涉及一种二氯二氢硅金属杂质测试方法，包括：将二氯二氢硅通入化学气相沉积反应腔，在衬底表面沉积形成外延层，得到样品衬底；制备未通入二氯二氢硅的空白衬底；分别将样品衬底和空白衬底浸入两份蚀刻液进行完全消解，另一份做空白对照，收集三份蚀刻液并定容；分别检测样品消解液、空白衬底消解液和试剂空白液中的金属杂质浓度；计算外延层金属杂质质量浓度并代入预先生成的校准曲线，得到待测二氯二氢硅中金属杂质的浓度；通过将气态DCS中的金属杂质富集于固态外延层中，然后采用酸消解外延层的方式将杂质转移至液相，再利用ICP‑MS等标准方法进行检测，大幅提升检测的安全性和准确性。
天眼查资料显示，江苏鑫华半导体科技股份有限公司，成立于2015年，位于徐州市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本148571.4288万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏鑫华半导体科技股份有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目125次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息217条，此外企业还拥有行政许可52个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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