晶合集成取得半导体测试相关专利，监控栅极边缘缺陷，避免器件试验问题，缩时长

来源：新浪证券-红岸工作室

6月6日消息，国家知识产权局信息显示，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体测试结构及其测试方法”的专利，授权公告号CN121568560B，授权公告日为2026年6月5日。申请公布号为CN121568560A，申请号为CN202610083592.0，申请公布日期为2026年6月5日，申请日期为2026年1月22日，发明人毛辰辰、王仲盛、董琳、姜攀，专利代理机构北京布瑞知识产权代理有限公司，专利代理师傅梦婷，分类号H10P74/00、H10P74/20。

专利摘要显示，本申请提供了一种半导体测试结构及其制备方法，属于半导体技术领域，其待测单元组包括至少一个待测单元，待测单元包括有源区、栅极结构及源漏外延层，栅极结构位于有源区的沟道区上，源漏外延层位于有源区的源区和漏区内；所有有源区沿第一方向的宽度相等，每个待测单元组中的所有沟道区的面积之和相等，从第1个至第n个待测单元组，有源区、沟道区和栅极结构沿第二方向的宽度逐渐增大，且每个源区和漏区沿第二方向的宽度均相等。本申请可有效监控栅极结构的边缘缺陷，从而避免器件的高温寿命试验出现问题，缩短开发时长。

晶合集成成立于2015年5月19日，于2023年5月5日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均涉及安徽省合肥市。该公司是国内领先的12英寸晶圆代工企业，拥有先进工艺技术，为集成电路产业提供有力支持。

晶合集成所属申万行业为电子 - 半导体 - 集成电路制造，涵盖MiniLED、MCU概念、芯片概念等板块，主要从事12英寸晶圆代工业务，为客户提供多制程节点、不同工艺平台的晶圆代工服务。

2025年，晶合集成营业收入108.85亿元，行业排名4/7，低于第一名中芯国际的673.23亿元、第二名华虹公司的172.91亿元，行业平均数为166.12亿元，中位数为108.85亿元。主营业务中，集成电路晶圆制造代工收入103.57亿元，占比95.14%。净利润4.66亿元，行业排名4/7，低于第一名中芯国际的72.09亿元、第二名赛微电子的13.88亿元，行业平均数为9.67亿元，中位数为4.66亿元。

合肥晶合集成电路股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1光阻层的形成方法及半导体结构发明专利公布CN202610637283.32026-05-11CN122161422A2026-06-05赵志豪、李海峰、沈俊明2半导体结构及制备方法发明专利公布CN202610602466.12026-05-06CN122138409A2026-06-02胡文婷、许春龙、陈婉露3用于工艺监测的关键尺寸条形结构及关键尺寸监测方法发明专利公布CN202610605065.12026-05-06CN122138671A2026-06-02黄周远、许春龙、孟娟4OPC模型的校正方法、系统及计算机可读存储介质发明专利公布CN202610590152.42026-04-30CN122113466A2026-05-29王康、罗招龙5一种光刻套刻误差的补偿方法、系统和设备发明专利公布CN202610588770.52026-04-30CN122110631A2026-05-29何赵鑫、黄胜6深通孔制备方法及背照式图像传感器的制备方法发明专利公布CN202610578907.92026-04-29CN122121294A2026-05-29郇小伟、金文祥、褚冉7一种掩膜版图优化方法、设备、存储介质及程序产品发明专利公布CN202610570245.02026-04-28CN122110595A2026-05-29赵广、罗招龙、张国乾8降低F离子注入在CIS产品上产生白像素的方法及系统发明专利公布CN202610551158.02026-04-24CN122094205A2026-05-26吝辉辉、王曼真、郭瑞、姚智、李维泽9半导体结构及其制备方法发明专利公布CN202610544911.32026-04-23CN122094153A2026-05-26王文智、王仲盛10半导体器件及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525621.42026-04-21CN122069775A2026-05-19运广涛、邵章朋、苏圣哲、罗钦贤11静态存储器的最小工作电压的预测方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610525469.X2026-04-21CN122067580A2026-05-19田志锋、沈洁12一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202610526758.12026-04-21CN122094097A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞13一种SRAM集成电路结构、静态随机存取存储器及其制备方法发明专利公布CN202610526755.82026-04-21CN122094096A2026-05-26王文智、刘哲儒、刘飞飞14一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516789.92026-04-20CN122069999A2026-05-19张璐、高倩倩、朱鹏飞、谈胜福、游奕廷15一种接触孔及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610516915.02026-04-20CN122070006A2026-05-19贾涛、董宗谕、王佳佳16半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610508501.32026-04-17CN122069766A2026-05-19高佑琳、高志杰、盛云、王瑞17半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610502429.32026-04-16CN122028719A2026-05-12李飞、董宗谕18半导体器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610500449.72026-04-16CN122028718A2026-05-12李飞、董宗谕19一种半导体结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610491922.X2026-04-15CN122054986A2026-05-15陈东、王晓娟、韩领、康绍磊20半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610479111.82026-04-13CN122028725A2026-05-12宋富冉、刘乃硕21光学临近效应修正模型的校正方法及数据采集方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476328.32026-04-13CN122018227A2026-05-12王康、罗招龙22电性测试结构及其测试方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610476299.02026-04-13CN122028713A2026-05-12刘站峰、汪小小、马婷、陈信全、张曼23伽马电阻的阻值波动的监控方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610475623.72026-04-13CN122028712A2026-05-12李健、邵迎亚、汪雪春24一种半导体芯片的版图设计方法及版图设计系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610475734.82026-04-13CN122047157A2026-05-15杨杰、郭哲劭、郭廷晃25黄光制程曝光能量确定方法、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610466856.02026-04-10CN121995712A2026-05-08胡玉明26一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610466026.82026-04-10CN122003143A2026-05-08李雯琴、王文轩27一种化学气相沉积设备及其温度控制方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610468112.22026-04-10CN122013156A2026-05-12黄望望、王松、周丹玫、胡万春28晶体管结构及其制备方法发明专利公布CN202610468691.02026-04-10CN122121263A2026-05-29张帅博、郭廷晃29铝衬垫制备方法及半导体发明专利实质审查的生效、公布CN202610460164.52026-04-09CN121985860A2026-05-05张正、季小龙、韩壮壮、沐凡、魏榕30一种去除自对准硅化物中未反应镍铂合金的方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610458132.12026-04-09CN121985755A2026-05-05曹平、刘苏涛31半导体器件的缺陷测试方法和半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610460537.92026-04-09CN122003137A2026-05-08董琳、王仲盛、毛辰辰、姜攀32半导体结构、制备方法、键合方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610449908.32026-04-08CN121985808A2026-05-05伍德超、郝小强、梁健33套刻标记结构及其制造方法、套刻标记尺寸选择方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610442492.22026-04-07CN121978874A2026-05-05刘华龙、张祥平34半浮栅晶体管及其制备方法、包含其的存储器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610432589.52026-04-03CN121968657A2026-05-01李猛猛35LDMOS器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610433072.82026-04-03CN121968623A2026-05-01刘东山、吴其洪36半导体结构制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610435065.12026-04-03CN121985805A2026-05-05王文智37电容结构及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610436485.12026-04-03CN121985540A2026-05-05刘向阳、蔡承佑、丁美平、陆莹莹、周迪38半导体测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610425182.X2026-04-02CN121969117A2026-05-01陈文璟、邵迎亚、汪雪春39半导体测试结构及厚度测量方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610427694.X2026-04-02CN121969118A2026-05-01张盖、王雪、梁栋栋40图像传感结构、传感器及制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610416871.42026-04-01CN121968751A2026-05-01陈维邦41一种半导体设备参数整体变差自动识别方法及系统发明专利实质审查的生效、公布CN202610419236.12026-04-01CN121959384A2026-05-01姚晨辉、李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟42机台差异识别方法、系统、电子设备和存储介质发明专利实质审查的生效、公布CN202610419232.32026-04-01CN121959064A2026-05-01李惠玉、简炜宸、陈俊雄、梅红伟、徐孝清43一种半导体结构的制备方法和半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610416662.X2026-04-01CN121968622A2026-05-01吴彬彬、朱瑶44一种半导体器件及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610419234.22026-04-01CN121969040A2026-05-01牛昆龙、张晓亮45漏电测试结构及方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610405431.92026-03-31CN121933982A2026-04-28李响、丁峰、芮倩、汪小小46一种半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610407639.42026-03-31CN121969039A2026-05-01何杨、张劲47静电放电保护器件及其制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610409574.72026-03-31CN121968726A2026-05-01王维安、程洋48金属层图形预处理方法、修正目标图形及刻蚀方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610399687.32026-03-30CN121934314A2026-04-28赵广、罗招龙49阶梯场板的制作方法及半导体器件发明专利实质审查的生效、公布CN202610389259.22026-03-27CN121941093A2026-04-28王维安、程洋、朱敏50一种半导体结构的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610385445.92026-03-27CN122028483A2026-05-12周纪、张伟、苏圣哲、运广涛、邵章朋