北京
国家知识产权局信息显示，深圳市豪鹏科技股份有限公司申请一项名为“一种复合集流体、制备方法及负极片”的专利，公开号CN122025652A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明提供一种复合集流体、制备方法及负极片，包括多孔铜基底层、复合掺杂层、导电层及亲锂修饰层，复合掺杂层包括稀土元素掺杂的铜层，复合掺杂层设在多孔铜基底层的孔隙表面，导电层设在复合掺杂层表面，亲锂修饰层形成于导电层背离复合掺杂层的一面。本发明提供的复合集流体，多孔铜基底层能为硅碳负极的体积膨胀提供缓冲空间，复合掺杂层中含稀土元素的化合物通过晶格畸变优化提升集流体力学强度与导电性，为膨胀约束提供结构支撑，同时降低电子传输阻力；导电层的复合导电材料能够形成高速的导电通道，提升电子与锂离子迁移效率；亲锂修饰层通过引导锂离子的均匀沉积；综上，复合集流体，可以有效抑制集流体膨胀，同步优化导电性以及循环稳定性。
天眼查资料显示，深圳市豪鹏科技股份有限公司，成立于2002年，位于深圳市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册资本9994.3067万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市豪鹏科技股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目29次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息970条，此外企业还拥有行政许可73个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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