台积电携手应用材料 投资50亿美元在硅谷共建EPIC中心攻克3D晶体管瓶颈

应用材料公司宣布，与长期合作伙伴台积电达成创新伙伴关系，将在其位于美国硅谷、总投资高达50亿美元的EPIC（Equipment and Process Innovation and Collaboration）中心共同开发面向新一代人工智能时代的半导体关键技术。 双方将在这一中心围绕材料工程、设备创新以及工艺集成展开协同研发，目标是在从云端数据中心到终端设备的全链路上，实现更高能效的芯片性能。

应用材料总裁兼首席执行官 Gary Dickerson 表示，公司与台积电在先进半导体技术前沿拥有超过30年的深度合作，此次在EPIC中心“同场创新”，将有助于双方更快应对制程路线图上前所未有的复杂性，加速将突破性技术从早期研究推向大规模量产。 台积电执行副总裁兼联席首席运营官魏哲家则指出，随着每一代半导体器件架构不断演进，材料工程和工艺集成的难度持续攀升，而要在全球范围满足AI算力的爆炸式需求，需要产业链范围内更紧密的协作。 他强调，EPIC中心为加速新一代设备和工艺的成熟提供了理想环境。

根据双方介绍，通过EPIC中心的合作，应用材料与台积电将聚焦当前先进逻辑工艺在继续“缩小、堆叠与提效”过程中面临的一系列关键挑战。 重点方向包括：一是开发能够在领先制程节点上持续提升功耗、性能与面积（PPA）的新型工艺技术，以支撑AI和高性能计算对芯片提出的更高要求；二是引入新材料和新一代制造设备，实现对复杂3D晶体管与互连结构的精确构建；三是通过先进工艺集成方案提升良率、改善工艺波动控制与可靠性，为向垂直堆叠和极致缩放架构演进打下基础。

EPIC中心被称为迄今美国在先进半导体设备研发领域最大单笔投资，整体规划旨在显著压缩从实验室到量产工厂的技术转化周期。 中心预计在今年具备运营能力，其设施从设计之初就针对“从早期研发快速走向量产验证”这一目标进行优化。 对于包括台积电在内的晶圆厂客户而言，EPIC中心将提供更早接触应用材料研发组合的机会，加快试验迭代速度，并在安全可控的协同环境中，加速将下一代技术导入高产能生产线。

应用材料方面表示，通过EPIC中心的共创模式，公司不仅能够为合作伙伴带来更高的研发效率与价值共享，还可以获得更长周期、多工艺节点的前瞻视角，以更有针对性地布局内部研发资源。 在AI推动下，芯片向复杂3D器件和互连结构演进的趋势愈发明确，业内普遍认为，如何跨越被称为“3D晶体管墙”的技术门槛，将在很大程度上决定下一阶段AI芯片性能与能效的上限。 此次应用材料与台积电在EPIC中心的合作，被视为产业链在这一方向上的重要布局之一。