玻璃基板专家交流

来源：市场资讯

（来源：风口报告）

当AI芯片一路冲到1000W功耗、100mm×100mm大尺寸、HBM4超细间距，传统ABF有机基板早已撞碎物理天花板；而玻璃基板凭借CTE可调、纳米级平整度、低介电损耗、面板级大尺寸四大杀器，一夜之间从显示面板辅料，变身先进封装“新地基”。

英特尔已经出货、台积电加速建厂、三星电机猛冲量产、国内设备/材料全线突破。

Q1：AI时代，玻璃基板凭什么被重新定价？ABF到底撞了什么物理死墙？

这是所有逻辑的起点：先进封装需求爆炸，和有机基板物理极限，形成不可调和的矛盾。

AI芯片现在是什么极端状态？

单封装功耗：700–1000W，接近热失控边缘

封装面积：直奔100mm×100mm以上

HBM4互连间距：必须<10μm

大尺寸翘曲容忍：<50μm，否则焊球直接崩

而统治高端封装几十年的ABF有机基板，直接被摁在地上摩擦：

表面太粗糙：粗化后~400nm，根本做不了<10μm细线，HBM4直接卡死

钻孔太粗：机械钻孔极限>200μm，高密度互连想都别想

翘曲炸了：大尺寸下翘曲200–300μm，远超工艺红线，热循环必裂

热膨胀不匹配：CTE和硅差距巨大，高功耗下应力拉满，可靠性暴跌

信号损耗高：高频场景下串扰、延迟双双爆表，喂不饱AI算力

玻璃基板一出场，直接把这些痛点全抹平：

CTE精准可调：0.5~12.4ppm/℃，完美匹配硅，翘曲压到±50μm以内

镜面级平整度：<4nm，支持0.5μm级线宽，比ABF光滑近100倍

介电常数可选：3.5~10，信号损耗降低40%+，能效提升50%

面板级无尺寸上限：500mm×600mm起步，面积利用率碾压晶圆级

光学透明：天生适配CPO光电共封装，下一代算力必备

一句话总结：

不是玻璃想替代ABF，是AI再往前卷，不用玻璃，真的走不动了。

Q2：玻璃基板最强优势、最致命缺陷是什么？英特尔到底解决到哪一步？

先看碾压级优势，(各行业纪要加v：teer987)全是硬参数：

热匹配无敌：CTE可调至3–5ppm，和硅几乎同胀缩，大尺寸翘曲减少70%+

平整度天花板：<4nm自流平，超细间距RDL随便做，互连密度提升10倍

电性更干净：介电损耗比ABF低50%+，高频信号稳得一批

尺寸无上限：面板级矩形基板，几何效率比圆形晶圆高30%+，降本潜力巨大

光电天生兼容：透明材质支持嵌入式光波导，CPO场景唯一最优解

再看行业死穴——脆性。

玻璃杨氏模量100–150GPa，切割、搬运、热循环中极易产生微裂纹（SeWaRe），一裂整颗芯片报废，这是量产最大拦路虎。

好消息是：英特尔已经部分攻克。

2026年1月NEPCON大会，英特尔正式公开“无SeWaRe”技术，通过材料改性+特殊工艺，基本解决内部微裂纹问题。

但关键风险：

仅限英特尔自家代工场景，对外大规模复制、全行业稳定复现，仍需1–2年验证。

这也是为什么2026是验证年，2027–2028才是真正放量年。

Q3：GlassCarrier/Interposer/Core三条路线差在哪？谁先赚钱、谁最值钱？

行业现在分三条技术路线，定位、难度、商业化节奏、赚钱能力完全不同：

①GlassCarrier（临时载板）

定位：工艺辅助载体，最终剥离

替代：不替代ABF，纯增量

工艺：键合/解键合+减薄

进度：已量产

代表：群创光电2025年底拿下SpaceXFOPLP射频芯片订单，3.5代线稳定出货

场景：射频（RFIC）、电源管理（PMIC）

结论：最先吃饭，现金流最稳

②GlassInterposer（玻璃中介层）

定位：插在芯片与ABF之间

替代：硅TSV中介层

工艺：TGV激光钻孔+铜填充+细线RDL（<2μm）

进度：台积电CoPoS主推，2028H2–2029H1量产

场景：AI芯片+HBM高端封装，英伟达、AMD核心需求

结论：弹性最大、最赚大钱、主线中的主线

③GlassCore（玻璃芯基板）

定位：直接替代ABF基板，终极形态

工艺：10–20层高密度RDL，难度拉满

进度：英特尔ClearwaterForest2026.1已商业化出货

三星电机目标：2027年量产

其他玩家：2028–2030年集中上量

结论：定终局、空间最大，但兑现最晚

简单一句话：

Carrier先落地、Interposer赚弹性、Core定终局。

Q4：先进封装为何是2026–2030主战场？AI为何是最强需求拉力？

直接给结论：

AI+HBM+Chiplet大尺寸封装，只认玻璃，不认ABF。

现在高端封装遇到的死局：

功耗爆炸：英伟达B200/Rubin、AMD加速卡逼近1000W，ABF机械弯曲、金属疲劳直接失效

互连密度爆表：HBM4要求<10μm间距，ABF粗糙度400nm，工艺窗口彻底关闭

尺寸失控：下一代AI封装>100mm×100mm，ABF翘曲200–300μm，良率暴跌

信号要求极致：多模态、Agent、大带宽，损耗必须压到最低

玻璃能带来什么？

信号损耗降40%

能效提50%

支持16颗以上HBM堆叠（硅中介层最多8颗）

大尺寸良率从60%拉到90%+

头部大厂动作已经摆上台面：

英特尔ClearwaterForest：Xeon6+服务器处理器，20层RDL、78mm×77mm，已出货

台积电CoPoS：嘉义AP7厂2026年6月产线完工，专供英伟达下一代芯片

三星电机：给苹果BaltraAI服务器供样，目标2027年量产

博通：ASIC玻璃中介层原型转批量试产，AI芯片核心供应商

这不是预期，(各行业纪要加v：teer987)是已经排产的订单。

Q5：CPO、射频IPD这些场景，到底走到哪一步？

分两类看，一个真赚钱，一个纯讲故事：

①射频/IPD：已量产，稳赚现金流

替代：LTCC、传统有机基板、高阻硅

优势：低损耗、高稳定、高频友好，5G/6G天然适配

国内进展：

长电科技：2026年4月宣布TGV+PSPI射频IPD工艺验证完成，直通6G

云天半导体：2.5D高密度玻璃中介层突破

苏州森丸：IPD稳定出货，小而美赛道

这部分技术最成熟、最先兑现业绩，虽然市场规模不算最大，但确定性拉满。

②CPO光电共封装：还在实验室，2027年前别指望贡献收入

优势：玻璃透明+低损耗，光波导损耗<0.1dB/cm，完爆聚合物

现状：技术路线没定型、样品没外供、产线没规划

结论：主题投资可以炒，基本面2027年之后再看

风险：预期打得太满，容易见光死

Q6：全球玩家战局：英特尔、台积电、三星、群创到底谁领先？

进度差1–3年，完全不在一个阶段：

英特尔（美国）——绝对第一

进度：已商业化出货

产品：ClearwaterForest，Xeon6+服务器处理器

架构：10-2-10堆叠，20层RDL，800μm玻璃芯

封装面积：78mm×77mm

状态：2026年已经在卖，行业唯一商业化

三星电机（韩国）——第二，试产爬坡

产线：世宗工厂TGV深宽比10:1，铜空洞率<0.5%

客户：给苹果BaltraAI服务器供样

目标：2027年量产

地位：全球高端玻璃基板核心供应商

台积电（中国台湾）——第三，试验线建设

方案：CoPoS，用玻璃中介层替代硅TSV

节点：2026年6月嘉义AP7产线完工

量产：2028H2–2029H1

地位：AI封装绝对龙头，决定行业放量节奏

群创光电（中国台湾）——Carrier路线已量产

订单：SpaceXFOPLP射频封装

优势：面板级成本控制极强

定位：中低端先行，现金流打底

Absolics（SKC）——Interposer路线，2028年量产

Q7：TGV、金属化、RDL三大核心工艺，卡脖子到底卡在哪？

玻璃基板90%的难题，都集中在这三步：

①TGV成孔（最卡、壁垒最高）

主流方案：激光诱导蚀刻法（LIDE），超快激光改性+湿法刻蚀

工艺目标：孔径50–150μm，深宽比10:1，英特尔做到间距<100μm

核心瓶颈：

深宽比冲上15:1，刻蚀均匀性直接崩

孔间距缩小，横向蚀刻互相干扰

良率爬坡极慢，需要12–24个月

国内设备：帝尔激光、大族激光已有量产机，但稳定性仍在爬

②铜金属化（最痛、失效第一模式）

流程：等离子活化→PVD溅射Ti/Cu种子层→电镀铜填充

行业死穴：铜-玻璃附着力极差

热循环1000次，极易分层、脱落、断路

国内突破：天承科技深宽比10–15填孔产品，良率超过部分国际品牌

③RDL再布线（最贵、决定密度上限）

要求：线宽<2μm，面板级大尺寸均匀

难点：玻璃TTV平整度差一点，曝光焦深就偏，良率直接暴跌

关键设备：面板级直写光刻机，国内芯碁微装有突破

一句话：

孔打得好、铜粘得牢、线布得匀，玻璃基板就成了。

Q8：产业化7大核心瓶颈，为什么良率爬坡要12–24个月？

现在行业不是不想量产，是一量产就崩良率，7座大山绕不开：

微裂纹SeWaRe：英特尔解决了，但大规模复制没验证

翘曲/热应力：铜CTE17ppm vs玻璃3–12ppm，热循环必应力

铜-玻璃附着力：热循环后分层，行业第一失效模式

TGV空洞率：深宽比>15:1，空洞率指数上升

细线RDL<2μm：大尺寸TTV控制不住，良率暴跌

面板级大尺寸良率：每一步工艺都要重优化，导致台积电CoPoS推迟到2028

成本太贵：现在比ABF贵，规模化后才可能低于硅TSV

良率曲线非常真实：

起步：10–30%

量产合格线：90%+

爬坡周期：12–24个月

这就是为什么：

2026是验证年，2027–2028是放量年，2028–2030是替代年。

Q9：业绩兑现三梯队，谁先赚钱？谁最后赚大钱？

设备先赚、材料跟赚、封装最后赚大钱：

第一梯队（2025–2027）——现在就在赚，确定性最强

TGV激光钻孔：帝尔激光、大族激光

电镀设备/填孔药水：东威科技、三平新科

掩膜版：路维光电

逻辑：产线先买设备，最先落地订单，最先兑现业绩

第二梯队（2027–2028）——随台积电CoPoS爬坡，弹性最大

面板级光刻：芯碁微装

清洗/PVD：盛美上海

玻璃精加工：沃格光电

玻璃原片国产：彩虹股份、凯盛科技

逻辑：跟着台积电量产节奏走，行业β最强

第三梯队（2028–2030）——GlassCore终极兑现，空间最大

封测厂：长电科技、通富微电

玻璃芯基板材料

逻辑：替代ABF正式开始，市场空间打开，长坡厚雪

Q10：最关键问题：玻璃基板会干掉ABF吗？10年格局是什么？

不会全面替代，是渐进渗透，10年内ABF仍是主流。

GlassCarrier：不替代ABF，纯增量

GlassInterposer：替代硅中介层，ABF仍在堆栈里

GlassCore：只在AI/HPC超高端替代ABF

2030年就算大规模上量，影响ABF市场也不超过10–20%

ABF依然统治：

消费电子、手机、笔记本

车用电子、中端计算

海量中低端市场

真实终局：

高端AI：玻璃基板天下；中低端海量市场：ABF不动如山。

最后说一句

有机基板已经摸到物理天花板，玻璃是唯一能接住下一代封装的材料。

机会就三条主线：

2026–2027：抓设备、材料、射频IPD，确定性最强

2027–2028：抓台积电CoPoS产业链，弹性最大

2028之后：抓GlassCore替代ABF，长坡厚雪

不要被CPO概念迷惑，先进封装+AI+HBM才是真主线。