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韩媒ETNEWS当地时间今日报道称，在DRAM尤其是HBM业务竞争力恢复后，三星电子设备解决方案 (DS) 部开始就重启半导体新业务的研发和投资进行讨论。
此次讨论的重点包括下一代 (V10)NAND闪存、化合物半导体、先进封装及基板，都是处于三星电子技术路线图上但进展相对缓慢的领域。随着内部资源出现富余，三星半导体正瞄准下一阶段的增长。
三星电子在2024年4月和9月先后宣布其第九代286层V-NAND的TLC和QLC版本进入量产阶段，此后一直未上线新的NAND工艺节点。换句话说其量产制程出现了超过2年的停滞。
从目前媒体侧的消息来看，三星电子的V10 NAND堆叠层数将跃升至400以上，提升单位晶圆的容量产出。而为了达成这一目标，该企业需要引入一系列的工艺创新。
本文源自：IT之家
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