北京
国家知识产权局信息显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆”的专利，公开号CN122002859A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法、功率模块、功率转换电路、车辆。半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；半导体本体还包括第一区域、阱区和至少一个第二区域；第一区域设置为第一导电类型且位于第一表面，阱区设置为第二导电类型且位于第一区域远离第一表面的一侧；第二区域设置为第一导电类型且位于阱区远离第一表面的一侧；第二区域内设置有至少一个第三区域组，每个第三区域组包括至少一个第三区域，第三区域设置为第二导电类型；第三区域内设置有第四区域，第四区域设置为第一导电类型；栅极，位于栅极沟槽内。本发明能够解决栅极沟槽底部和拐角处电场过高而降低半导体器件可靠性的问题。
天眼查资料显示，长飞先进半导体（武汉）有限公司，成立于2022年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本360000万人民币。通过天眼查大数据分析，长飞先进半导体（武汉）有限公司参与招投标项目38次，专利信息118条，此外企业还拥有行政许可77个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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