北京
国家知识产权局信息显示，中电海康集团有限公司申请一项名为“磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列”的专利，公开号CN121999825A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，磁存储单元的写入/读取方法、外围装置及磁性存储阵列。本发明提供一种磁存储单元的写入方法，包括：获取当前写入数据的目标地址与磁性存储单元类型的对应关系，并依据对应关系确定目标写入结果；其中，存储单元类型包括第一类型和第二类型，对应位置的第一类型存储单元和第二类型存储单元共用源极线和写入位线。还提供一种磁存储单元的读取方法，包括：获取当前读取数据的目标地址与磁性存储单元类型的对应关系，并依据对应关系确定目标读取结果；其中，存储单元类型包括第一类型和第二类型，对应位置的第一类型存储单元和第二类型存储单元共用源极线和读取位线。本发明能够通过两个磁性存储单元共用位线和源极线的方式，有效的缩小芯片面积实现共源SOT磁性存储器件的正确数据写入。
天眼查资料显示，中电海康集团有限公司，成立于2002年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本94500万人民币。通过天眼查大数据分析，中电海康集团有限公司共对外投资了39家企业，参与招投标项目441次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息577条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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