北京
国家知识产权局信息显示，无锡华润微电子有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN122002810A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供衬底，衬底上形成有晶体管；形成覆盖晶体管的第一介电层；在第一介电层上形成图案化的电极层；刻蚀电极层，以在电极层中形成缝隙的同时将电极层分成彼此隔离的第一电极层和第二电极层，其中第一电极层与晶体管电连接；在缝隙中填充电容介质层，以形成由第一电极层、电容介质层和第二电极层构成的电容器。通过在电极层中形成缝隙，将电极层分成第一电极层和第二电极层，然后在缝隙中填充电容介质层，以形成由第一电极层、电容介质层和第二电极层构成的电容器，通过电极层中的缝隙增加电容介质层的覆着面积和电流极化强度，从而提高电容器的剩余极化量，提高半导体器件的耐用性。
天眼查资料显示，无锡华润微电子有限公司，成立于2002年，位于无锡市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本57000万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡华润微电子有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目3016次，财产线索方面有商标信息27条，专利信息128条，此外企业还拥有行政许可192个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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