北京
来源：滚动播报
（来源：财闻）
KC Tech融合CMP与填料微化技术，控制表面粗糙度于0.5微米以下，推动打破日本ABF垄断。
据THE ELEC 5月7日报道，KC Tech依托化学机械抛光（CMP）技术，推进半导体积层薄膜（BuF）自主化，以应对先进封装微细化工艺挑战。据5月7日行业消息，该公司正承担韩国产业通商资源部国家课题“大尺寸积层薄膜与超微图案工艺开发”，重点研发下一代BuF用CMP平坦化工艺。
BuF是半导体封装中关键绝缘材料，当前市场由日本味之素ABF主导。随着AI与高性能芯片普及，线路宽度已缩至5微米以下，传统数微米级二氧化硅（SiO₂）填料导致表面粗糙度上升，引发电子迁移阻力增大、信号损耗及曝光精度下降等问题。
KC Tech提出“填料微细化+CMP工艺优化”方案，目标将表面粗糙度与碟形坑（Dishing）控制在0.5微米以下。目前已掌握核心CMP技术，正推进材料与工艺的匹配优化，兼顾低介电、低损耗及平坦化结构设计。
该技术可应用于高端FC-BGA基板、中介层（Interposer）、玻璃通孔（TGV）、面板级封装（PLP）及高频平台。KC Tech称，CMP在高集成封装中重要性持续提升，应用范围将随微缩图案扩大而拓展。
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