北京
国家知识产权局信息显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121843141A，申请日期为2026年2月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，其中，半导体器件包括：半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一表面设置有多个沿第一方向间隔排列的沟槽；在垂直于所述第一表面的第二方向上，所述沟槽包括n级沿所述第二方向依次连通的子沟槽，其中n为大于1的正整数；所述沟槽中最靠近所述第二表面的最后一级子沟槽的底壁呈曲面；所述半导体本体还包括第一区域，第一区域包覆所述沟槽的侧壁和底壁；所述第一方向垂直于所述第二方向；第一金属层，位于所述第一表面以及所述沟槽内，并与所述第一区域接触；第二金属层，位于所述第二表面，避免局部区域电场聚集，提高器件的阻断性能。
天眼查资料显示，安徽长飞先进半导体股份有限公司，成立于2018年，位于芜湖市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本31162.1464万人民币。通过天眼查大数据分析，安徽长飞先进半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目31次，财产线索方面有商标信息78条，专利信息230条，此外企业还拥有行政许可14个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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