北京
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国家知识产权局信息显示，半导体元件工业有限责任公司申请一项名为“可见光和短波红外混合传感器”的专利，公开号CN121815778A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本公开涉及可见光和短波红外(SWIR)混合传感器，以及用于构建此类传感器的方法。该方法包括在硅衬底中形成第一深沟槽隔离部(DTI)、第二DTI和第三DTI。该硅衬底的定位在该第二DTI与该第三DTI之间的部分形成用于探测可见光的硅光电探测器。该方法还包括在该硅衬底中在该第二DTI与该第三DTI之间蚀刻出沟槽。该沟槽被蚀刻成使得该硅衬底的另一部分保留在该第二DTI与该第三DTI之间。该方法还包括在该沟槽内形成用于探测SWIR光的SWIR光电探测器。该方法还包括移除硅衬底的另一部分，使得该第一DTI、该第二DTI和该第三DTI在硅衬底的一侧上暴露出。该方法还包括在该硅衬底上形成高K介电层。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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