北京
国家知识产权局信息显示，甬矽半导体（宁波）有限公司取得一项名为“晶圆沉积装置和晶圆沉积设备”的专利，授权公告号CN224047505U，申请日期为2025年4月。
专利摘要显示，本实用新型提供了一种晶圆沉积装置和晶圆 the圆沉积设备，涉及半导体技术领域，该晶圆沉积装置包括晶圆放置平台和旋转遮挡盖，晶圆放置平台上设置有用于容纳晶圆的放置槽，旋转遮挡盖可转动地装配在晶圆放置平台上，并盖设于放置槽，旋转遮挡盖的顶侧设置有贯通至放置槽的沉积气口，晶圆放置平台上还设置有贯通至放置槽的流通气孔，旋转遮挡盖选择性地遮挡流通气孔。相较于现有技术，本实用新型能够在保证正常沉积效果的同时，减缓后段气体浓度下降趋势，降低气体浓度下降速度，提升沉积薄膜的均匀性。
天眼查资料显示，甬矽半导体（宁波）有限公司，成立于2021年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本400000万人民币。通过天眼查大数据分析，甬矽半导体（宁波）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目33次，专利信息255条，此外企业还拥有行政许可20个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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