北京
国家知识产权局信息显示，拓维光电材料（滁州）有限公司申请一项名为“一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法”的专利，公开号CN121693116A，申请日期为2025年12月。
专利摘要显示，本发明公开一种基于双面同心圆环沟槽蚀刻的FMM图形化加工方法，属于OLED显示面板制造领域；方法包括：在基板的A、B两面涂布光刻胶，并使用具有双同心圆环图形的光罩，分别在A、B两面进行压膜、曝光、显影，在目标开口区域外围形成双环形金属区域；以A面光刻胶为掩模，采用蚀刻液进行喷淋刻蚀，在环形金属区域形成环形沟槽；在A面涂布油墨，再贴覆UV保护膜固化；以B面光刻胶为掩模，对环形金属区域进行喷淋刻蚀，控制蚀刻深度，使其与A面的环形沟槽贯通；撕去带有油墨的UV保护膜，将基体浸入剥离液中，去除残余油墨与A、B两面残胶，后清洗、干燥；双环形沟槽设计解决了B面蚀刻液的渗漏污染问题，提升了产品洁净度与生产良率。
天眼查资料显示，拓维光电材料（滁州）有限公司，成立于2022年，位于滁州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本22520万人民币。通过天眼查大数据分析，拓维光电材料（滁州）有限公司参与招投标项目8次，专利信息19条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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