北京
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国家知识产权局信息显示，安华高科技股份有限公司申请一项名为“具有偏移漏极的高电压半导体装置”的专利，公开号CN121604474A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本公开涉及具有偏移漏极的高电压半导体装置。所述半导体装置，例如，举例来说，全环绕栅极场效应晶体管GAAFET装置适合于在更高的操作电压条件(例如，1.2伏到3.3伏)下的可操作性。所述半导体装置包含：第一沟道，其形成于所述半导体装置的第一平面中；第二沟道，其形成于所述半导体装置的不同于所述第一平面的第二平面中；漏极，其形成于所述第一沟道周围；栅极，其形成于所述第二沟道周围；及源极，其形成于所述第二沟道周围。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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