北京
国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法”的专利，公开号CN121586476A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种适应多材质有源区衬底的零层对位标记的制作方法，该方法包括：在具有零层对位标记区域和沟道区域的衬底上形成第一介质层；对零层对位标记区域进行刻蚀，在衬底中形成沟槽；在沟槽内表面及沟道区域上形成用于阻挡外延生长的第二介质层；对第二介质层进行化学机械平坦化，使第二介质层保留在沟槽内形成内衬；去除第一介质层。本发明通过在零层对位标记的沟槽内预先形成一层介质层内衬，有效阻止了后续多材质有源区工艺中的外延材料填充沟槽，确保了标记的台阶形貌在经历化学机械平坦化后得以保持。该方法解决了现有技术中零层对位标记被磨平导致对位信号消失的问题，能够为后续光刻步骤提供稳定、清晰的对位信号。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2095次，专利信息2720条，此外企业还拥有行政许可397个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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