大疆起诉美国FCC；科技巨头在韩挖角HBM和AI人才；苹果供应链大动作 | 新闻速递

五分钟了解产业大事

每日头条芯闻

1. 大疆起诉美国FCC
   

2. 小米计划未来五年重点攻坚芯片、AI、操作系统等底层核心技术

3. 科技巨头在韩挖角HBM和AI人才

4. 消息称三星电子晶圆代工产能利用率回升，有望扭转长期颓势

5. 苹果供应链大动作
   

6. 高通首批机架级AI软硬件解决方案开启交付，基于AI 100芯片

7. 日本巨头撤退

8. 消息称三星电子计划2026H1启动PCIe Gen6 SSD测试设备引进

9. 三星电子1c nm DRAM的HBM4良率或接近六成

10. 分析师：2026年全球存储市场规模将大增159%，达5749亿美元

11. 前花旗高管警告：未来几十年人工智能机器人数量将超劳动人口

12. 机构：美国四大科技巨头将投资6500亿美元，AI热潮已进入“更危险阶段”

13. 机构：2026年全球显示设备总支出将同比增长32%

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【大疆起诉美国FCC】

据环球时报报道，美国东部时间2026年2月20日，大疆创新正式向美国第九巡回上诉法院提起上诉，挑战美国联邦通信委员会（FCC）2025年12月23日将大疆及产品列入“受管制清单”的不当决定。

大疆创新方面表示，此举旨在维护大疆创新的合法权益、保护依赖大疆产品却受到禁令影响的美国消费者及广大农业行业用户利益。

此前，美国联邦通信委员会主席Brendan Carr于2025年12月23日宣布，根据美国行政部门的国家安全决定，FCC已将外国制造的无人机（UAS）及其关键部件添加到FCC的受管制清单中，今后将适用该清单。

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【科技巨头在韩挖角HBM和AI人才】

据TrendForce报道，英伟达、苹果等美国科技巨头正在韩国精准挖角三星电子和SK海力士的AI、HBM人才，试图缩小这两家韩企在内存市场的长期领先优势。

据报道，英伟达本月初在领英平台招聘HBM开发工程师，起步年薪高达258750美元（现约合179万元人民币）；而苹果也在上个月公开招聘了NAND闪存产品工程师，年薪更是达到305600美元（现约合211.4万元人民币）。

此前，据韩媒报道，美光也从其年底开始在韩国挖角三星、SK海力士工程师，有消息称美光为了吸引专家跳槽开出了两倍薪资待遇，并提供3亿韩元（现约合144.4万元人民币）的签约奖金。

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【苹果供应链大动作】

据《华尔街日报》报道，苹果公司向其透露，将把部分Mac mini台式电脑的生产从亚洲转移到美国，这是其将庞大供应链的部分环节迁回美国国内的最新举措。

苹果首席运营官Sabih Khan表示，新的制造工作将于今年晚些时候在休斯顿北部的富士康工厂启动。他在带领《华尔街日报》首次公开参观该工厂的两座主要建筑时介绍了这一计划，其中一座建筑里富士康正在组装苹果的人工智能服务器，另一座目前是一个巨大的仓库，将被改造成22万平方英尺（约20439平方米）的Mac mini制造空间。

此次将Mac mini生产线转移至美国，是苹果将部分供应链环节迁回美国国内的最新举措，其背后的原因与当前复杂的关税环境密切相关。

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【日本巨头撤退】

据日经亚洲报道，日本电子厂商松下将于今年4月，将北美和欧洲的电视销售业务移交至中国大型家电制造商创维集团，自身则专注于日本本土市场销售及高端机型生产。

松下已与创维签署涵盖欧美电视业务的全面合作协议，其中包括销售业务的移交。

一位知情人士表示：“能够降低竞争加剧等经营风险，是此次决策的重要因素。”松下计划与创维在研发与生产领域展开合作，推出兼具成本与技术竞争力的优质产品。

日本企业在电视领域的影响力正逐渐消退。索尼今年1月宣布，将其电视业务外包给由TCL牵头的合资公司。夏普、东芝等其他日本电子厂商，也已将电视业务控制权移交至海外企业。

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【三星电子1c nm DRAM的HBM4良率或接近六成】

据韩媒报道称，三星电子的1c nm制程DRAM内存在高温环境热测试中的良率已达80%，相较2025年Q4的60%~70%明显提升，显示该工艺的量产成熟度有了很大改进，商业化阶段的盈利能力大幅增强。

与此同时，基于1c nm DRAM的HBM4 AI内存的良率也有所改善，从2025年Q4的50%提升至接近60%，这意味着三星电子能在有限的产能容量中产出更多HBM，在高利润市场赢得更大营收规模。

与制程良率同步提升的是三星的1c nm产能，这部分的月度晶圆投片量在2025年末仅有6万片，而到2026年H2将升至20万片。

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【分析师：2026年全球存储市场规模将大增159%，达5749亿美元】

韩华投资证券分析师Park Jun-young在发布的一份报告中预测，2026年全球存储市场规模将比上年增长159%，达到5749亿美元，是2018年1599亿美元的3.6 倍。

他预测，DRAM市场将同比增长192%，达到4399亿美元，NAND市场将增长88%，达到1350亿美元。这种增长是典型的价格驱动型现象，预计2026年DRAM平均售价（每Gb）将从2025年的0.52美元上涨138%至1.23美元，而NAND闪存平均售价（每Gb）预计也将上涨超过65%，从2025年的0.07美元上涨至0.12美元。