北京
国家知识产权局信息显示，苏州华太电子技术股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN121487319A，申请日期为2025年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种半导体器件及其制备方法，半导体器件包括衬底、有源层、沟槽栅极、源极与保护结构，有源层设置于衬底沿厚度方向的一侧，有源层包括外延层、阱区与源区，沟槽栅极由外延层背离衬底的表面朝向衬底方向延伸形成，沟槽栅极至少贯通阱区；源极设置于外延层背向衬底的一侧，源极覆盖至少部分源区并形成欧姆接触；保护结构设置于外延层背向衬底的一侧，保护结构与外延层之间设置有隔离介质层；其中，保护结构包括沿远离源极方向设置的第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区，第一掺杂区与第三掺杂区的导电类型相同，第一掺杂区与第二掺杂区的导电类型相反，第一掺杂区与源极形成欧姆接触，第三掺杂区与沟槽栅极电学连接。
天眼查资料显示，苏州华太电子技术股份有限公司，成立于2010年，位于苏州市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本38473.6371万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州华太电子技术股份有限公司共对外投资了11家企业，参与招投标项目19次，财产线索方面有商标信息60条，专利信息511条，此外企业还拥有行政许可11个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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