板块一年暴涨80%！AI 吞噬式需求引爆存储超级周期

文|海山

来源|博望财经

十几个交易日，20余只股票涨停，存储板块单月飙升50%，中国存储产业迎来“价值重估”拐点！

兆易创新10天暴涨80%、北京君正走出5连板，澜起科技年内最大涨幅突破180%，长江存储、长鑫存储等8家存储企业完成新一轮融资。

行业层面，1月中国存储产业峰会，宣布成立国产存储生态联盟，设立专项基金50亿元，聚焦DRAM、NAND Flash、存算一体等核心技术。存算一体芯片能效比提升10倍，HBM3e高带宽存储器已实现量产，长江存储232层3D NAND将单位存储成本直降70%。

当存储芯片从“进口依赖”变成“国产替代”，当存算一体成为AI算力的“新引擎”，当存储芯片价格飙升创历史纪录，意味着存储周期从“温和上涨”到“超级牛市”！

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存储超级牛市来临

而这种超级牛市，拐点来自于2025年第四季度，存储芯片价格迎来颠覆性转折。

据TrendForce数据，DRAM和NAND Flash价格单季度涨幅突破40%，2026年第一季度预计再涨40%–50%，第二季度仍将维持20%的涨幅。

业内普遍认为，这一轮行情甚至超越2018年历史高点，被业内称为“超级牛市”。而这背后，是存储器的市场供需的极端失衡

256GB DDR5服务器内存条价格突破5万元，单条内存价格能买上海一平米的房产。华强北的16GB DDR4内存条从180元飙升至420元，商户坦言“一天一个价”。与此同时，三星、SK海力士、美光三大原厂2026年产能均已“售罄”，长期协议（LTA）成为云巨头锁定供应的新常态。

而本轮涨价的核心，与过往周期依赖消费电子需求不同，关键在于其结构性驱动，也即是于AI算力基建的“吞噬式需求”。

当前单台AI服务器的内存需求为传统服务器的8–10倍，直接消耗全球53%的内存月产能，而供给端却因巨头将80%先进产能转向高利润的HBM和DDR5大幅收缩。这就导致本轮周期的持续性与强度均远超预期，而这背后是三大结构性变革的共振。

首先是需求侧的转移，大模型“战争”进入白热化之后，不管是比模型参数，还是怎样让模型落地，都让AI服务器、AIPC、边缘计算等新兴场景对存储性能提出极端要求。

HBM作为AI加速器的“刚需配件”，其带宽较传统产品提升数倍，成为巨头竞逐的制高点。北美四大云厂商（Google、Meta、微软、AWS）2026年AI基建投资规模预计达6000亿美元，进一步推高存储需求。

而为追求更高毛利，原厂集体“弃低追高”，这就导致供给侧主动缩容，三星停产DDR4、美光退出英睿达消费级业务，导致成熟制程产能缺口扩大。TrendForce数据显示，2025年DRAM库存周期已降至10周（安全阈值为12周），原厂库存仅2–4周。

高利润还带来了技术的迭代加速，尤其是DDR5/LPDDR5X渗透率快速提升，其8000Mbps的速率和低功耗特性成为AI服务器标配。而HBM3E等新一代产品尚未大规模量产，技术壁垒进一步加剧供应紧张。

所以，存储芯片从电子设备的“成本项”升级为AI基建的“战略资源”。这种地位的跃迁，使得价格波动直接传导至终端产品。例如iPhone 17 Pro Max的存储成本占比从2020年的8%跃升至2025年的15%以上，旗舰手机因存储涨价普遍上调售价500–1000元。

而在存储芯片的盛宴中，不同层级的参与业绩也得到了释放。SK海力士2025年第三季度净利润同比暴涨119%，三星半导体业务营业利润增长31.81%。

国内模组厂业绩“V型反转”，江波龙第三季度净利润同比激增1994%，佰维存储预增427%–520%。截至2025年三季度，江波龙存货达85亿元，佰维存储存货57亿元。SK海力士国内代理商香农芯创营收增长但毛利率降至2.4%，而技术壁垒高的澜起科技凭借内存接口芯片毛利率达65.7%。

从我国整体市场来看，2026年中国存储芯片市场规模预计近5000亿元，国产厂商在成熟制程领域凭借成本优势快速补位，国产替代的窗口期已然打开。

例如长鑫科技发布8000Mbps的DDR5产品，并进入小米、OPPO等头部手机供应链；通富微电募资44亿元扩产存储封测产能，年新增84.96万片等等。

那这个产业链具体哪里肉多？谁能吃到最大的蛋糕呢？

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产业链细分价值几何？

存储芯片产业正从传统的强周期行业，跃升为AI基础设施的核心命脉，必将对产业链的全面重构。

尤其对于中国存储产业链而言，这既是应对价格波动的生存之战，更是迈向高端突破的价值反攻。

首先，上游材料与设备是存储产业链的技术制高点，也是国产替代空间最大的环节。

在AI驱动的超级周期下，高纯度硅片、光刻胶、溅射靶材等关键材料的供应紧张直接制约全球产能释放。

宁波江丰电子的超高纯金属溅射靶材已广泛应用于全球半导体芯片制造环节，其韩国基地建设加速了国产材料的全球化布局。

北方华创的刻蚀、薄膜沉积等核心设备已覆盖主流存储类型，还有中微半导体针对先进存储器件制造的关键刻蚀和薄膜工艺实现大规模量产。

中游存储芯片制造与模组生产是产业链的价值中枢，也是当前超级周期中博弈最激烈的领域。

国际原厂凭借技术领先和产能控制成为最大受益者：SK海力士2026年全系列存储订单已售罄，HBM产能被AI大客户提前锁定；美光2025财年第三季度营收增长37%，HBM收入环比增长近50%。

而国产存储势力的崛起正在重塑全球格局，在NAND领域，3D堆叠技术已成主流，长江存储232层3D NAND良率达95%，320层技术进入量产验证阶段，性能超越三星主流产品，单位比特成本比国际巨头低20%。

在DRAM领域，长鑫存储HBM3e良率已达75%，HBM4样品通过华为昇腾910B验证，虽然性能略逊国际巨头15%，但已能满足国产AI芯片需求。

模组环节呈现量价齐升的爆发式增长。江波龙成功切入阿里、字节等头部企业AI服务器供应链。

佰维存储则通过自研主控芯片构建完整产品布局。中游企业的业绩爆发凸显了国产存储从备胎转向主力军的价值重估进程。

下游应用环节是存储芯片价值的最终实现场所，也是成本压力的直接承受者。

AI服务器是存储需求爆发的核心牵引力，其单机存储配置是传统服务器的数倍。北美四大云厂商2026年AI基建投资规模预计达6000亿美元，形成了对存储芯片的持续性、规模化需求。

与此同时，消费电子领域则陷入两难境地：手机和PC厂商一方面要应对存储成本飙升，另一方面要避免过度涨价抑制市场需求。联想、戴尔等厂商已对产品提价500-1500元，以传导成本压力。

终端厂商从过去的准时化生产转向追求安全库存，甚至通过长期供应合同、期货及战略囤货等方式保障供应。这种买涨不买跌的心理进一步加剧了供需紧张，形成价格上行的螺旋效应。

在这种背景下，国产存储产业正迎来政策+市场的双重机遇。国家大基金三期3440亿元注资落地，目标将存储芯片国产化率从15%提升至30%，重点扶持HBM、存算一体等卡脖子环节。

技术突破构筑的护城河已成为国产存储价值反攻的核心支撑。长鑫存储HBM3进入客户验证，2026年小规模量产；澜起科技PCIe 5.0 Retimer芯片在AI服务器渗透率超40%，CXL技术打开第二增长曲线。通富微电募资44亿元扩产存储封测产能，年新增84.96万片，满足高端存储的异构集成需求。

尽管涨势迅猛，但市场对本轮周期的持续性存在分歧。乐观派认为供需紧张将持续至2028年，理由包括AI需求刚性、产能建设周期长（新厂需2-3年投产）；谨慎派则预计2026年下半年出现拐点，依据是原厂产能逐步释放、高价抑制消费需求。

对于国产厂商而言，技术代差仍存，国产HBM尚未规模量产，3D NAND堆叠层数与国际巨头有1-2代差距；供应链安全挑战，高端光刻胶、光刻机等仍依赖进口，设备国产化率待提升。

但对于中国产业链而言，当前机遇大于挑战。当前最大机会在于：谁能率先构建覆盖数据—存储—计算闭环的解决方案，并绑定真实应用场景，谁就能在AI推理、边缘计算、智能终端等方向建立壁垒，成为存储时代的终端入口与服务运营商。

更深远的是，太空存储概念兴起：中国GW星座计划中的算力卫星搭载存储模块，在轨处理遥感数据，将传输延迟从8小时压缩至5分钟，开辟了万亿级新市场。

十五五规划明确将存储芯片列为战略新兴产业，工信部设立专项基金支持存储产业链建设，全面打通从技术研发到规模应用的最后一公里。

种种信号表明，2026年将成为中国存储产业的价值反攻元年，最终胜出者，绝非仅掌握单一环节的玩家，而是那些真正兼具技术理解力、工程化能力与规模化落地经验的全栈式整合者，他们将推动中国存储产业从卡脖子环节跃升为战略制高点，重塑全球数字经济权力结构。

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订单为王时代下的硬核玩家

当前存储芯片产业技术路径清晰，2026年有望成为国产存储芯片的业绩兑现年。在这场大浪淘沙中，谁能率先在“国产替代”刚性需求中实现技术突破与规模化落地，谁就能锁定未来十年的产业地位。

首先是长鑫存储，作为国产DRAM的破局者，技术产能双突破。作为国内规模最大、技术最先进、唯一实现通用型DRAM大规模量产的IDM企业，其发展打破了三星、SK海力士、美光对全球DRAM市场的长期垄断。

其19nm工艺良率已超95%，并实现DDR5内存最高速率8000Mbps、LPDDR5X速率10667Mbps的突破，跃居世界一流水平。

更关键的是其产能与订单的实质性放量。2025年底月产能已提升至28万片晶圆，较年初增长21.7%。2025年第三季度，长鑫存储营收突破120亿元，同比增长52%，净利润同比增长43%。

其产品已进入浪潮、曙光等国内头部服务器厂商供应链，比亚迪、蔚来等车企也已开始批量采购其车规级DRAM。

作为科创板IPO进程中备受瞩目的“存储第一股”，长鑫存储凭借其IDM模式对供应链的自主可控，已成为国产替代中最确定的龙头之一。

其次是长江存储，是国内专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，是国产3D NAND闪存领域的基石企业。

其自主研发的Xtacking®架构实现了3D NAND技术的跨越式发展，当前232层产品良率已突破90%，连续读写速度超7000MB/s，达到国际一流水平。

其首条全国产化NAND产线于2025年下半年试产，设备国产化率达45%，刻蚀、沉积等核心环节已实现自主替代。

长江存储2025年在全球NAND市场份额已达到约13%，与长鑫存储共同构成全球存储市场的“第四极”。尽管尚未上市，但2026年快速上市，也是极有可能的。

其次是兆易创新，作为全球唯一一家在NOR Flash、SLC NAND Flash、利基型DRAM和MCU领域均排名全球前十的集成电路设计公司，采用Fabless模式。与长鑫存储形成“兄弟协同”——前者冲锋市场，后者攻坚技术。

2025年，兆易创新预计向长鑫科技采购金额达11.61亿元，承接国际厂商退出的DDR3/DDR4转单需求。

公司利基型DRAM产品量价齐升，毛利率季度环比改善明显。其业绩增长极具弹性，2025年上半年，公司在存储与计算、手机、汽车、消费等多领域均实现收入和销量的同比快速增长。

2026年1月，兆易创新已成功登陆港股，完成“A+H”双平台资本布局，为其后续发展提供了更强的资本支持。

还有澜起科技，全球内存接口芯片的领导者，按收入计算，2024年其全球市场份额达36.8%，是全球最大的内存互连芯片供应商，深度受益于AI服务器推动的DDR5渗透率提升。

公司的护城河在于其技术标准主导权，其主导了HBM3E协议标准，并布局PCIe Retimer、CXL MXC等匹配AI时代算力需求的新产品。

2025年上半年，公司实现净利润11.59亿元，同比增长率达到95%，显示出极强的盈利能力。澜起科技也已通过港交所聆讯，即将实现“A+H”上市，有望获得更高估值溢价。

最后是江波龙以及佰维存储，作为模组环节黑马，业绩爆发式增长。江波龙2025年第三季度实现归母净利润6.98亿元，同比增长近20倍，全年业绩预告也十分亮眼。

佰维存储则发布了存储板块首份亮眼的年报预告，预计2025年度实现归母净利润8.5亿元至10亿元，同比大幅增长427.19%至520.22%。

公司ePOP产品供货Meta AI眼镜，企业级SSD订单暴增200%，显示出在高端细分市场的突破。

这两家企业代表了国产存储模组厂商从“渠道贩子”向“技术集成商”的升级，其业绩高增长已验证了国产替代的逻辑正加速兑现。

2026年将是存储芯片行业的大分化之年。缺乏核心技术、无法获得稳定订单的企业将被出清。

而像长鑫存储、长江存储、兆易创新、澜起科技、江波龙、佰维存储这样有技术、有产能、有订单的硬核玩家，将穿越周期，成为国产存储崛起之路上的第一批“登顶者”。

未来十年，谁掌控了数据存储的“底层基座”，谁就握住了数字经济的命脉。