北京
国家知识产权局信息显示，苏州锴威特半导体股份有限公司申请一项名为“一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件”的专利，公开号CN121463492A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本发明公开了半导体功率器件技术领域的一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件，包括N型衬底，N型衬底的上方设置有超结结构，超结结构包括重掺杂N型外延层,重掺杂N型外延层的中央形成重掺杂P柱区,重掺杂P柱区的上方形成栅极沟槽,通过选择性的半包P型结构将重掺杂P柱区与源极短接，可以有效抑制沟槽拐角及底部的电场强度，降低栅漏电容，提高栅氧介质及器件长期可靠性。本发明还通过优化P柱和N柱的排列方式，改善器件击穿电压和导通电阻之间的优值FOM，降低超结柱区交界面的电场强度，提升器件抗单粒子烧毁能力，实现高质量碳化硅超结MOSFET的制备，为碳化硅超结器件的商业化应用提供可行的技术路径。
天眼查资料显示，苏州锴威特半导体股份有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本7368.4211万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州锴威特半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目27次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息171条，此外企业还拥有行政许可10个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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