北京
国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“SRP过度区宽度的计算方法”的专利，公开号CN121463785A，申请日期为2025年9月。
专利摘要显示，本发明涉及一种SRP过度区宽度的计算方法，所属硅片加工技术领域，如下操作步骤：当硅片的外延层材料和衬底层材料的电阻率数值相差在10²数量级时，电阻率‑深度曲线上会有一个非常陡峭的“悬崖式”下降或上升，在这种情况下，采用相对百分比法来确定边界点。当硅片的外延层材料和衬底层材料的电阻率在相同数量级时，电阻率‑深度曲线上的过渡区会变得平缓，没有明显的“悬崖”；此时，百分比法可能无法准确反映过渡的起始和结束。因此，采用曲率变化率法或角度法，通过寻找曲线斜率变化最剧烈的点即拐点来确定边界。根据外延层与衬底之间电阻率差异的大小，采用两种不同的策略来精确定义过渡区的起始点和结束点，从而计算过渡区宽度。
天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息405条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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