三星Heat Pass Block助骁龙8 Elite Gen 6冲刺5GHz:传统均热板面临极限
高通即将推出的骁龙8 Elite Gen 6系列处理器,据传将采用三星开发的Heat Pass Block(HPB)散热技术。这一调整旨在解决高主频运行下的热量积累问题,帮助芯片维持更稳定的性能输出。相关报道显示,这一技术已在三星Exynos 2600中应用,并可能成为2026年旗舰安卓手机散热方案的参考。
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骁龙8 Elite系列处理器渲染图,展示芯片模块化设计与高性能导向
HPB技术原理:铜基散热块直接集成
三星的HPB技术核心在于将铜制散热块直接置于处理器芯片上方,而DRAM内存则布置在侧面。这种布局避免了传统堆叠式封装中DRAM覆盖处理器导致的热量集中问题。铜材质的高导热性有助于快速导出热量,据三星数据,在Exynos 2600上可将热阻降低约16%。相比依赖手机厂商外部添加的均热板或石墨片,HPB属于芯片级内置方案,更适合紧凑的手机内部空间。
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三星Exynos 2600与传统结构的对比示意图,清晰显示HPB散热块位置与热路径优化
高通选择HPB的背景:传统散热方案渐显不足
当前旗舰芯片追求更高主频和性能,骁龙8 Elite Gen 5已显示出在高负载下功耗较高的特性。传统均热板虽有效,但随着芯片功率密度增加,其散热效率接近上限。报道指出,高通测试中的Gen 6版本可能将性能核心频率推至5GHz左右,这需要更高效的内置热管理。HPB的引入可减少对手机整机散热设计的依赖,让厂商在薄型化机身中获得更大灵活性。
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手机均热板工作原理示意图,展示传统被动散热在高功率芯片下的局限
移动芯片散热趋势:从外部辅助向芯片级集成演进
近年来,移动处理器工艺节点不断缩小,2nm时代即将到来,但热密度问题日益突出。三星HPB代表了先进封装中热管理的新尝试,其他厂商也在探索类似内置解决方案。未来,这一技术可能在更多安卓旗舰芯片中普及,推动手机在游戏和AI任务下的持续性能表现。同时,芯片制造商与代工厂的合作将更紧密,以平衡性能提升与热控需求。
高通传闻采用三星HPB技术,体现了移动芯片散热从被动外部向主动内置的转变。这一调整为下一代旗舰处理器提供了实用热管理路径,有助于在高性能竞争中保持稳定输出。
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